概述

HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模塊、單芯片微波集成電路(MMIC)放大器，采用砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)技術制造。

此款2 mm × 2 mm LFCSP放大器可用作級聯50 Ω增益級，或用于驅動輸出功率高達20 dBm的許多ADI公司單平衡和雙平衡混頻器的本振(LO)端口。

HMC788A提供14 dB的增益，33 dBm的輸出IP3，且采用5 V電源時功耗僅76 mA。

達林頓反饋對可降低對正常工藝變化的敏感度，提供出色的溫度增益穩定性，只需極少的外部偏置元件。
數據表：*附件：HMC788A 0.01GHz至10GHz、MMIC、GaAs、pHEMT RF增益模塊技術手冊.pdf

特性

• 增益：14 dB（典型值）
• 工作頻率范圍：0.01 GHz至10 GHz
• 輸入/輸出內部匹配至50 Ω
• 高輸入線性度
  o 1 dB壓縮(P1dB)：20 dBm（典型值）
  o 輸出三階交調截點(IP3)：33 dBm（典型值）
• 電源電壓：5 V（典型值）
• 2 mm × 2 mm、6引腳引腳架構芯片級封裝

應用

• 蜂窩、3G、LTE、WiMAX和4G
• LO驅動器應用
• 微波無線電
• 測試與測量設備
• 超寬帶(UWB)通信

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

應用信息
該應用中使用的PCB必須采用RF電路設計技術。信號線必須具有50ω阻抗，而封裝接地引腳和裸露焊盤必須直接連接到接地層，如圖19所示。必須使用足夠數量的過孔來連接頂部和底部接地層。EVIHMC788ALP2評估板必須安裝在適當的散熱器上。
圖18顯示了EV1HMC788AL的原理圖。p2評估板。該板采用4.5 V至5.5 V單電源供電，并通過一個2.2 uF電容和一個100 pF電容去耦。DC隔直電容安裝在RF和RFour端口。注意，電感Ll是向RFour引腳施加Vcc = 5 V偏置的必需元件。