TPS59603-Q1 驅動器針對高頻 CPU V 進行了優化核心應用。減少死區時間驅動和自動過零等高級功能用于優化整個負載范圍內的效率。

SKIP 引腳提供 CCM作選項，以支持輸出電壓的受控管理。此外，TPS59603-Q1 支持兩種低功耗模式。當 PWM 輸入處于三態時，靜態電流降低到 130 μA，并立即響應。當 SKIP 保持在三態時，電流降低到 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢復開關）。這些驅動器與適當的 TI 控制器配合使用，可提供超高性能的電源系統。
*附件：TPS59603-Q1 用于汽車應用中高頻 CPU 內核電源的同步降壓 FET 驅動器數據表.pdf

TPS59603-Q1 器件采用節省空間的熱增強型 8 引腳、2mm x 2mm 可濕性側面 WSON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C
  • 設備 人體模型 ESD 分類等級 H2
  • 器件 帶電器件型號 ESD 分類等級 C3B
• 降低死區時間驅動電路，優化 CCM
• 自動過零檢測，優化 DCM 效率
• 多種低功耗模式，優化輕負載效率
• 針對高頻作優化的信號路徑延遲
• 集成 BST 開關驅動強度針對低 RdsON FET 進行了優化
• 針對 5V FET 驅動進行了優化
• 轉換輸入電壓范圍 （V 在 ）：2.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引腳、WSON 導熱墊封裝，帶可潤濕側面

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS59603-Q1 是一款專為汽車應用中高頻 CPU 內核電源設計的同步降壓 FET 驅動器。它優化了連續導通模式（CCM）和斷續導通模式（DCM）下的效率，并提供了多種低功耗模式以優化輕負載效率。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100 認證?：適用于汽車應用，溫度等級為 -40°C 至 125°C。
• ?優化死區時間驅動電路?：提高 CCM 下的效率。
• ?自動零交叉檢測?：優化 DCM 下的效率。
• ?多種低功耗模式?：支持 PWM 和 SKIP 引腳的三態操作，降低靜態電流。
• ?集成 BST 開關?：驅動強度優化，適用于低 RDS(ON) FET。
• ?寬輸入電壓范圍?：2.5V 至 28V。
• ?小型封裝?：2mm × 2mm 8引腳 WSON 封裝，帶濕側翼。

3. 應用領域

• ?汽車后座娛樂（RSE）平板電腦?：使用高頻 CPU 的場景。
• ?汽車 ADAS 處理器內核電源?。

4. 電氣特性

• ?工作結溫范圍?：-40°C 至 125°C。
• ?輸入電壓范圍?：VDD 為 4.5V 至 5.5V（推薦 5V）。
• ?低靜態電流?：PWM 引腳三態時，靜態電流為 130μA；SKIP 引腳三態時，靜態電流為 8μA（典型值）。
• ?快速響應?：PWM 和 SKIP 引腳從三態恢復后，切換響應時間小于 50μs。

5. 功能描述

• ?UVLO 保護?：當 VDD 電壓低于 UVLO 閾值時，禁用驅動器并將 DRVH 和 DRVL 輸出置為低電平。
• ?PWM 引腳三態功能?：PWM 引腳進入三態時，驅動器進入低功耗狀態，輸出置為低電平。
• ?SKIP 引腳功能?：控制轉換器在 CCM 和 DCM 之間切換，SKIP 引腳三態時進入極低功耗狀態。
• ?自適應死區時間控制?：減少 MOSFET 體二極管導通時間和恢復損耗。
• ?集成 BST 開關?：使用 FET 替代傳統二極管，降低高側 FET 的導通損耗。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：8引腳 WSON 封裝，帶濕側翼。
• ?尺寸?：2mm × 2mm。

7. 布局指南

• ?驅動器位置?：應盡可能靠近 MOSFET。
• ?電容位置?：VDD 和自舉電容應盡可能靠近驅動器。
• ?地線處理?：使用封裝的熱焊盤作為 GND，直接連接到 MOSFET 的源極。
• ?走線寬度?：DRVH 和 DRVL 走線寬度建議為 80 至 100 密耳。