概述

ADL5521是一款高性能GaAs pHEMT低噪聲放大器。它提供高增益與低噪聲系數，適合于單一下變頻IF采樣接收機架構與直接下變頻接收機。

高集成度的ADL5521內置有源偏置與隔直電容，非常易于使用，并且不會犧牲設計靈活性。

ADL5521僅需少量外部器件即可調諧。這款器件的工作電壓范圍為3 V～5 V，源電流可以通過外部偏置電阻進行調節，以適應低功耗應用的需求。

ADL5521采用緊湊散熱增強型3 mm × 3 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C～+85°C。

還可提供完全組裝的評估板。
數據表：*附件：ADL5521 400MHz～4000MHz低噪聲放大器技術手冊.pdf

特性

• 工作頻率范圍：400 MHz～4000 MHz
• 噪聲系數：0.8 dB @ 900 MHz
• 僅需少量外部器件
• 內置有源偏置控制電路
• 內置隔直電容
• 可調偏置，適合低功耗應用
• 單電源電壓：3 V～5 V
• 增益：20.8 dB @ 900 MHz
• OIP3：37.0 dBm @ 900 MHz
• P1dB ：21.8 dBm @ 900 MHz
• 小尺寸LFCSP封裝
• 提供21.5 dB增益的引腳兼容版本
  框圖
  
  引腳配置和功能描述
  
  典型性能特征
  

基本連接
操作ADL5521的基本連接如圖53所示。電容C5提供電源去耦。電感L1 (Coilcraft 0403HQ或0402HP系列)和電容C1(Murata High-Q GJM系列或等效產品)提供輸入阻抗匹配，輸出阻抗匹配由L2或C3提供。電阻Rl用于設置電源電流，Rl值與電源電流成間接比例關系(即增加Rl值會降低電源電流)。表7列出了所選頻率的推薦外部元件。

對于輸入功率超過約7 dBm輸入壓縮點的5 V應用，應在VPOS線上插入一個至少8ω、高額定功率(最小0.2 W)的串聯電阻(R2)，以保護器件免受輸入功率過驅影響。在這種情況下，將電阻Rl從1.3 k2降至600ω，使電源電流保持在60 mA左右。當R2 = 8.2 2(蘇蘇姆RP1608S-8R2-F)和R1 = 600ω時，ADL5521的增益和噪聲系數基本保持不變。表6列出了選定頻率下的OIP3和PldB。對于3v電源應用，對于高達20 dBm的預期輸入過驅功率，不需要串聯電阻。

評估板
圖54顯示了ADL.5521評估板的原理圖。該板由單電源供電，直流偏置可以通過VPOS和GND的夾式引線或通過2引腳連接器W1施加于該板。該評估板出廠時針對1950 MHz進行了優化，但可以輕松修改，使其工作在400 MHz至4 GHz之間的任何頻率。表7列出了不同頻率下的推薦元件。