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單片機控制的動態數據緩存器的DRAM讀/寫控制過程

電子工程師 ? 2018-03-17 11:33 ? 次閱讀
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讀取一字節數據的程序段如下:



讀取數據時,T1先置1,其后的RD信號將行地址送到地址線AB上,并使D。觸發器鎖存Tl,Q,變成低電平,使RAS有效(低電平),實現行選通;再置TO為l,其后的RD信號將列地址送到AB上,并產生CAS信號,使欲讀出單元的數據出現在DB上。RD失效的上升沿使CAS失效,同時,D2觸發器置1,使D1清零,RAS也失效變為高電平。經過RC延遲放電,使欲讀出單元的數據出現在DB上,D2重新清零,Q2又為高電平,恢復初始狀態D1、D2均為零。

程序最后送T0、T1低電平,封鎖RAS和CAS,防止系統中其他讀/寫器動作使DRAM產生誤動作。

寫數據過程與此類似。

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