國際集成電路展覽會暨研討會（International IC & Component Exhibition and Conference, 簡稱: IIC）將于2025年3月27日～28日在上海金茂君悅大酒店（上海浦東新區世紀大道88號金茂大廈）舉辦，展位號：B05。本次大會聚焦綠色能源生態發展、中國IC設計創新、EDA/IP、MCU技術與應用、高效電源管理及寬禁帶半導體技術等領域，涵蓋產品和技術展示、企業新品發布、高端峰會論壇、技術研討、產業人才交流、業界年度重磅獎項揭曉等多維度活動內容。

屆時，我司工業市場經理康博將為大家帶來以“功率半導體方案賦能高效可靠光儲系統”為主題的演講。

推薦產品

BLG40T120FDK5

BLG40T120FDK5是一款電壓等級為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場截止IGBT技術，具有開關速度快、關斷損耗小、導通電壓低等特點，可滿足客戶高效率設計要求；終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于光伏逆變，PCS，開關電源逆變器，工業焊機等高頻應用。

BLG40T120FDL5

BLG40T120FDL5是一款電壓等級為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場截止IGBT技術，優化了導通損耗和開關損耗，實現了更好的輸出特性；cell設計進行了優化設計，可以達到10us以上的短路耐受時間；終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、低導通損耗，強短路能力的設計要求。適用于通用變頻器，三相全橋逆變等應用。

BLG80T65FDK7

BLG80T65FDK7是一款電壓等級為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術，具有開關速度快、關斷損耗小、導通電壓低等特點，可滿足客戶高效率設計要求；終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于充電樁，工業焊機等高頻應用。

BLG80T65FDL7

BLG80T65FDL7是一款電壓等級為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術，具有導通電壓低，短路性能強等特點，終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設計要求。適用于電機驅動，通用驅動，通用變頻器等有短路要求的應用。

BLQG160T75FDL7

BLQG160T75FDL7是一款電壓等級為750V、電流為160A的車規級Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術，具有導通電壓低，短路性能強等特點，終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設計要求。適用于通用驅動，工業、農業車主驅等有短路要求的應用。

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款電壓等級為750V、電流為820A的車規級Trench FS IGBT模塊，采用HPD封裝形式。IGBT芯片采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術，優化了導通壓降和開關損耗，實現更好的輸出特性；優化了cell設計，改善了IGBT的短路能力，在50-400V不同母線電壓，0.75-20Ω不同電阻條件下，均無震蕩現象；終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設計要求。適用于電動或者混動汽車主驅逆變回路。

BLC13N120

BLC13N120是一款電壓等級為1200V、導通電阻為13mohm的N溝道增強型平面SiC MOSFET，具有低導通電阻、高阻斷電壓和低柵極電荷等優點，開關性能優越。在固態斷路器、高壓DC-DC轉換器以及諧振拓撲等應用中廣泛使用。

BLCMF011N120DG2

BLCMF011N120DG2是一款電壓等級為1200V、導通電阻為11mohm的SiC MOSFET模塊，該模塊采用緊湊的半橋拓撲結構，具有低的開關損耗和導通損耗，支持高頻開關，在高效轉換器、光伏逆變器和智能電網等領域，憑借SiC材料的優異特性，可在高溫環境下穩定運行，同時減少散熱需求，幫助客戶簡化系統設計并降低總成本。