概述

ADL9005是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為0.01至26.5 GHz。ADL9005在0.01 GHz至14 GHz范圍內提供17.5 dB的典型增益，在14 GHz至20 GHz范圍內具有正增益斜率，在0.01 GHz至20 GHz的1 dB壓縮(OP1dB)，典型輸出功率為13.5 dBm，在0.01 GHz到14 GHz范圍內的典型噪聲指數為2.5 dB，在0.01 GHz到14 GHz范圍內的典型輸出三階交調點(OIP3)為26 dBm，采用5 V電源供電功耗僅80 mA。高達16 dBm的飽和輸出功率(PSAT)使低噪聲放大器(LNA)可用作ADI公司眾多平衡同相/正交(I/Q)或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。ADL9005還具有內部匹配50 ? 的輸入和輸出(I/O)，非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。
ADL9005采用符合RoHS標準的4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
多功能引腳名稱可能僅通過相關功能來引用。
數據表：*附件：ADL9005采用單一正電源的0.01GHz至26.5 GHz寬帶低噪聲放大器技術手冊.pdf

特性

• 單一正電源
• 低噪聲指數：0.01 GHz 至 14 GHz 時為 2.5 dB（典型值）
• 高增益：0.01 GHz 至 14 GHz 時為 17.5 dB（典型值）
• OP1dB：0.01 GHz 至 20 GHz 時為 13.5 dBm（典型值）
• 高 OIP3：0.01 GHz 至 14 GHz 時為 26 dBm（典型值）
• 兼容 RoHS 的 24 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事
• 通信

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

ADL9005是一款GaAs、MMIC、pHEMT、寬帶LNA。圖73顯示了一個簡化框圖。RFiN和RFour引腳直流耦合，匹配至50歐姆。ADL.9005采用單電源供電。lbo通過在RglAs引腳和外部電源電壓之間連接一個電阻來設置。漏極偏置電壓通常通過外部偏置三通提供。然而，通過將ACG4/Nppz引腳連接到外部電源，也可以對漏極偏置電壓進行電阻偏置。