概述

ADL8142是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范圍內，ADL8142提供27 dB典型增益、1.6 dB典型噪聲系數和29 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)，采用2 V電源電壓時功耗僅為25 mA。注意，可通過較大的漏極電流改善OIP3。ADL8142還具有交流耦合的輸入和輸出，內部匹配至50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電應用。
ADL8142采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23GHz至31GHz技術手冊.pdf

應用

• 衛星通信
• 電信
• 民用雷達

特性

• 低噪聲系數：1.6 dB（典型值，27 GHz至31 GHz時）
• 單正電源（自偏置）
• 高增益：27 dB（典型值，27 GHz至31 GHz時）
• 高OIP3：21.5 dBm（典型值，27 GHz至31 GHz時）
• 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADL8142是一款GaAs MMIC pHEMT低噪聲寬帶放大器，集成偏置電感和交流耦合電容。簡化原理圖如圖63所示。要調整漏極偏置電流，請在RBIAS和VDD引腳之間連接一個外部電阻。ADL8142具有交流耦合的單端輸入和輸出端口，在23 GHz至31 GHz頻率范圍內，其阻抗標稱值等于50歐姆。不需要外部匹配元件。雖然RF輸出路徑是交流耦合的，但交流耦合電容的RFOUT側有一條直流接地路徑。