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納微GaNFast推動世界上最薄的旅行適配器

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-03-06 09:36 ? 次閱讀
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GaN功率IC應用在厚度僅為14mm的超薄高功率密度適配器上。

納微(Navitas)宣布GaNFast?功率IC應用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個用于全球范圍的超薄適配器可輕松滑入口袋,其中結合了GaN功率IC技術與新型USB-PD電源輸送協議和先進的Type C連接器,可以為筆記本電腦充電,或者為任何智能手機快速充電。

新型高速氮化鎵(GaN)功率IC的性能比舊式硅(Si)芯片的好20倍以上。通過高頻工作并同時提高效率,GaNFast功率IC可減小變壓器、散熱片和印刷電路板等組件的尺寸、重量和成本。

Made in Mind首席執行官Mathew Judkins評論道:“Made in Mind一向致力于挑戰行業規范,我們尋求志同道合的最出色合作伙伴。Mu One中的納微GaNFast芯片在充電速度、效率和尺寸方面帶來了巨大優勢,連同其他先進技術,大大提升了消費者對我們的新產品系列在性能和便利性的期望。”

納微現場應用及技術營銷總監黃萬年表示:“在這樣的超薄外形尺寸中設計這樣高的功率,是業界的一個重要進步。隨著我們的客戶使用GaNFast功率IC技術來實現新一代電源適配器,消費者可以期待一系列新型的高密度快速充電的適配器將在未來幾個月陸續面世。”

最近獲engadget網站報道的Mu One 45W適配器現在通過Kickstarter提供,并很快在量產后在機場、主要街道和網上商店銷售。

關于納微

納微(Navitas)半導體公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2013 年在美國加利福尼亞州 El Segundo 成立。納微擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊,在材料、器件、 應用程序、系統和營銷及創新成功記錄的領域內,合共擁有超過200年的經驗;此外,其多位創始人也合共擁有超過200項專利。該公司專有的 AllGaN? 工藝設計套件將最高性能的 GaN FET 與邏輯和模擬電路單片集成。納微GaN 功率IC為移動、消費、企業和新能源市場提供更小、更高能效和更低成本的電源。 納微擁有或正在申請的專利超過 30 項。

關于Made in Mind

Made in Mind由Matthew Judkins和Min-Kyu Choi于2009年創立。兩人在英國帝國理工學院和皇家藝術學院的校園相遇,并且成立了該公司,將Min-Kyu在研究期間開發的折疊插頭設計概念商業化。隨后許多個人和組織加入了Matthew和Min-Kyu的行列,為這一概念的發展、資金和營銷做出了貢獻,隨著Mu于2012年發布,這個概念正式實現。目前Made in Mind的多樣化團隊由精通多個行業和技術的專業人士組成,正在擴展產品線,并將Mu帶到全球。

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