以下文章來源于半導體行業觀察，作者L晨光

蜂窩網絡實現商業化應用起，過去的40多年間通信技術呈現出了波瀾壯闊的演進歷史。

發展至今，隨著5G技術的成熟和滲透，不僅帶來了更高速率、更低延時、更大連接的移動通信，而且5G標準下移動通信的覆蓋對象從手機擴展到了更多的IoT設備，從人與人之間的通信走向人與物、物與物之間的通信，在工業、能源等領域等誕生了豐富的應用場景。

在通訊技術的變革過程中，射頻前端作為通信設備不可或缺的核心部件，負責處理無線通信設備中的射頻信號，在移動智能終端、基站、Wi-Fi和IoT設備等領域發揮著關鍵作用。

射頻架構圖

射頻架構圖展示了無線發送和接收的過程：發射過程，從射頻收發芯片走上半部分，經功率放大器（PA）將信號通過天線發射出去；接收過程，走下半部分，經低噪聲放大器（LNA）進入射頻收發芯片。

射頻前端市場規模在過去幾年中穩步增長，市場需求隨著5G技術的商用化而顯著增長。據Yole數據統計，2022年全球移動終端射頻前端市場規模為192億美元，預計到2028年，全球市場規模有望達到269億美元，呈現出年均復合增長率(CAGR)為5.78%的穩健增長態勢。

移動終端射頻前端市場規模穩步增長（億美元）

（數據來源：Yole、卓勝微公司公告、開源證券研究所）

射頻PA，價值凸顯

射頻前端的核心部件包括功率放大器、濾波器、低噪聲放大器、開關和雙工器等。是無線通信系統中與外界交互最密切的部分，承載著連接用戶與網絡的重要任務。

其中，射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）是射頻系統中的核心器件，負責將射頻信號的功率放大，以保證無線通信的有效傳輸。

圖源：方正證券研究所

具體來看，射頻發收器中調制振蕩電路所產生的射頻信號功率較小，需經過一系列的放大獲得足夠的射頻功率后，傳輸至天線上，其性能直接決定信號的強弱、穩定性等重要因素，左右著終端的用戶體驗和節能降耗。PA核心參數包括增益、帶寬、效率、線性度、最大輸出功率等，眾多平衡的性能指標非常考驗設計能力。

射頻PA按照應用場景大致可以分為手機、基站、WiFi、NB-IoT等四個賽道。

手機PA：受益于5G換機周期、單機所需要的PA量價齊升，手機PA需求上升。國內手機PA廠商在2G、3G手機有優勢，受益4G向5G切換、國產替代加速。

基站PA：受益5G-A/6G新基建和5G普及，在帶動物聯網發展的同時會激發基站市場需求，同時Massive MIMO等新工藝推動基站端的PA需求增長。

WiFi PA：WiFi射頻前端性能優化的重點也在于PA。WiFi和5G配合將會實現全場景的覆蓋，網絡速率、節能效率將得到大幅度提升。隨著物聯技術不斷的普及，WiFi市場有望得到快速持續增長。

NB-IoT PA：由于2G、3G退網，5G建設進程加速，NB-IoT作為物聯網的一個重要分支，也將迎來產業化發展的新階段。NB-IoT具有“大連接、廣覆蓋、低成本、低功耗的特點”，將PA集成進SoC就是一個不錯的解決辦法，采用SoC內置功放PA可以降低對終端Flash存儲空間、終端尺寸、終端射頻等的要求，從而極大降低NB-IoT的終端成本和功耗。

能看到，隨著5G的商用，包括PA在內的射頻芯片重要性隨之提升。可以說，5G時代給了射頻行業一方更廣闊的舞臺。

回顧射頻芯片的發展歷程。

20世紀80年代，射頻芯片開始被廣泛應用于無線通信設備。

21世紀，射頻芯片技術迎來了飛躍式發展。

2001年，高通公司推出了第一款商用3G射頻收發器——RTR6500，標志著射頻芯片技術開始向多模多頻段方向發展。

2007年，蘋果公司在iPhone中采用了英飛凌的射頻功率放大器模塊，進一步提升了移動設備的通信能力。

2010年，隨著4G LTE技術的推廣，射頻芯片開始集成更多的頻段和更高的數據傳輸速率，支持多頻段和多模式的無線通信。

進入5G時代，射頻芯片需要支持更高的頻率和更寬的帶寬，如高通的驍龍X50和X55 5G調制解調器支持毫米波和sub-6 GHz頻段，為5G通信提供了強有力的硬件支持。

此外，射頻前端模塊（RF FEM）的設計也變得更加集成化，諸多射頻產品集成了低噪聲放大器、功率放大器和開關，以滿足緊湊的移動設備設計需求。

射頻芯片技術隨移動通信發展而進步，不斷集成更多頻段和高數據速率，5G時代尤為顯著，射頻前端模塊設計更集成化。

在此趨勢下，射頻分立器件布局逐步多樣化，射頻前端模組布局也朝著一體化和高端化方向發展，主要體現在設計更加復雜化和集成度更高等方面。

同時，在技術革新方面，新材料作用顯著。以功率放大器為例，其性能提升主要通過新材料與新工藝的結合，而非縮短制程。效率與線性度之間的平衡是最主要考慮的問題。隨著高頻段的解鎖，飽和電子速度更高的GaAs/GaN材料被作為功率放大器的材料，更適宜高功率工作環境。

在射頻前端模組化的高集成趨勢下，射頻PA模組行業發展呈現出以下特點：

技術迭代快：隨著通信標準的不斷演進，射頻PA模組需要不斷適應新的頻段和性能要求，技術更新換代迅速。

集成化趨勢：為了滿足設備小型化和多功能化的需求，射頻PA模組呈現出高度集成化的特點，將多個功能模塊集成在一個芯片上。

工藝復雜：制造射頻PA模組需要先進的半導體工藝，對生產工藝和質量控制要求嚴格。

市場競爭激烈：眾多企業參與競爭，技術、成本和客戶資源成為競爭的關鍵因素。

行業壁壘高：包括技術、資金、人才等方面的壁壘，新進入者面臨較大挑戰。

總的來看，隨著技術和市場需求的不斷迭代，對射頻PA的技術性能需求再次拉升，需要PA有更高的工作頻率、更高的功率、更大的帶寬，同時模組化的到來也需要PA設計滿足高集成度模組化的需求。

在市場需求和技術要求的雙重驅動下，包括PA在內的射頻芯片逐漸發展為成長最快的方向之一。Yole數據預計，2025年PA市場規模將達到104億美元，市場空間廣闊。

國產射頻PA，正在崛起

廣闊的市場空間下，激烈的行業競爭格局。

從供給側來看，與射頻前端行業的整體市場格局相似，射頻功率放大器作為最重要的射頻前端芯片，亦呈現由國際領先企業占據絕大部分市場份額的格局。射頻PA市場的主要份額集中在Skyworks、Qorvo、博通（Broadcom）、高通（Qualcomm）、Murata等國際廠商。

尤其是隨著射頻器件集成度提高，可生產全類型射頻器件產品的生產商具有競爭優勢，Skyworks、Oorvo、Broadcom等國際射頻巨頭企業覆蓋射頻器件全部產品，為射頻器件集成化提供了基礎。

而相較之下，中國射頻PA廠商依然處于起步階段，市場話語權有限。不過，在這條充滿挑戰與機遇的細分賽道上，國內射頻芯片企業近年來也在逐步崛起，通過自主研發和技術創新，已涌現出數家標桿企業，在某些領域已經可以替代國際廠商同類產品，成為射頻PA芯片市場的一股重要力量。

國產廠商華太電子通過不斷提升設計能力和產品質量，逐步實現技術突破和市場拓展，縮小與國際巨頭的差距。

華太電子

華太電子在射頻功率放大器（PA）領域已經形成了全面的布局，覆蓋了從通信基站到工業應用的多元化應用場景。

技術實力：華太電子專注于LDMOS和GaN射頻器件的研發、設計、和制造，能夠提供高性能的PA解決方案。

產品覆蓋：產品線涵蓋從中低功率（1W）到大功率（3000W），從1.8MHz到6GHz工作頻段的多種射頻PA，滿足5G基站（宏基站、MIMO AAU、小基站等）、物聯網、無線對講機、工業科學醫療等不同領域的需求。

自主研發能力：華太電子掌握了全鏈路的自主知識產權，從器件與工藝、晶體管器件建模、MMIC/分立器件設計、到器件封裝與測試、封裝材料與管殼，均自主研發并掌握核心IP，依托國內強大的研發與設計團隊，能夠快速響應市場需求并提供高性價比的產品解決方案。

本地化支持：相比國外廠商，華太電子在成本控制和本地客戶支持方面具有顯著優勢，提供更貼合國內市場需求的解決方案，同時基于華太全鏈路布局，能夠為客戶提供高性能-低成本的解決方案。

值得關注的是，今年爆火的小米汽車SU7車載對講機中的PA，就是用的華太電子的產品。然而，華太電子射頻功率放大器最大的應用場景并不是對講機或車載通信系統，而是基站。

與手機里所用到的射頻芯片不同，通信基站要發射的信號強度高，用到的射頻放大器屬于大功率芯片。

華太電子自2010年起便專注于LDMOS工藝的研發，根據不同應用場景推出了多樣化的產品解決方案，主要包括MIMIC、分立器件以及寬帶專網三大產品系列。其中，MIMIC和分立器件主要面向運營商客戶的公網通信應用，而寬帶專網產品則聚焦于專網領域，例如對講機、射頻解凍加熱、醫療設備及制造裝備中的射頻源等應用。此外，華太電子的全資子公司——瑤華封測工廠，已實現空腔塑封（ACS）射頻大功率產品的量產，單顆功率達100W。其射頻大功率ACS封裝（涵蓋GaN和LDMOS）產品累計出貨量已突破420萬只，而射頻功放（PA）器件總發貨量更是超過了1.7億顆。

華太電子在射頻業務上取得一座座“里程碑”，得益于華太自成立以來一直注重研發投入，尤其聚焦核心技術的突破，其中包括半導體工藝、射頻器件結構、集成電路架構、封裝材料與散熱材料等底層技術和原材料的創新與突破，以底層技術創新驅動整體方案優化與提升。自成立以來，華太自研的RF LDMOS器件歷經十代迭代，陸續發布12V～120V（偏置電壓）系列化工藝平臺，射頻性能達到國際領先水平。

與此同時，華太致力于打造平臺化半導體公司，在技術演進的道路上橫向發展，打通了"晶圓-設計-封測"整個產業鏈，在器件工藝、器件建模、電路設計、封裝仿真設計、封裝工藝等節點均建立設計與應用平臺，將每一個節點的優勢層層放大；同時通過優化供應鏈和產能布局，確保產品快速響應市場需求，為客戶提供高性能-低成本的解決方案。

展望未來，針對基站PA高頻化和寬帶化、高效率與低功耗、小型化與集成化以及高魯棒性的市場演進趨勢，華太電子規劃了全面的射頻PA的產品族，當前已發布全系列的LDMOS小基站、LDMOS/GaN 宏基站、MIMO、驅動級PA產品，其中高頻段的4.9GHz全套方案均已量產。而在工業科學醫療等多元化領域，華太發揮其LDMOS獨有的高魯棒性優勢，成功發布并量產了50V/65V/120V產品，單管功率等級最高已實現3KW。

技術創新方面，當前華太電子規劃了下一代產品族平臺，預研項目包括U6G PA、混合工藝PAM、超寬帶Doherty PA架構、超大功率單管等，與上下游廠商共同推動射頻PA的技術進步，為客戶提供更完整且先進的射頻解決方案。

整體來看，華太電子將圍繞技術演進和市場需求雙輪驅動來做選擇，繼續聚焦射頻PA產品，在芯片體積、功率密度、可靠性和易用性等方面進行不斷優化迭代，給市場和客戶帶來價值，持續提升自身市場份額。

內卷之下，國內PA市場如何洗牌？

回顧這些國內射頻企業的發展歷程，可以看到一條清晰的發展脈絡：

1.0時代，以較低門檻的分立產品作為切入點，經歷同質化競爭與產品迭代錘煉；

2.0時代，抓住國產替代機會迅速融資擴張，擴充研發實力，獲得市場和客戶認可，營收規模迅速增長；

3.0時代，產品逐漸升級，獲得市場與客戶廣泛認可，逐步進入5G模組高端領域，擺脫低端內卷困境。

國內射頻芯片企業在自主研發和創新過程中，正逐漸打破國外壟斷局面。但不可否認的是，由于5G建設逐漸放緩，整體市場規模不斷縮小，此外，由于近年來新的玩家大進入，加劇了該市場的競爭態勢。另外由于射頻PA的產能供大于求，諸多芯片廠商加入了降價換量的局面，進一步加劇了市場競爭。

國內射頻PA行業開始出現內卷現象。甚至有些缺乏核心競爭力的企業產品質量低下，低價擾亂市場，導致產品毛利低，進而抑制了產品創新，形成惡性循環。

對此，華太電子認為，內卷不可避免，但也推動了行業優勝劣汰，只有具備技術實力、創新能力和優質服務的企業才能在激烈競爭中脫穎而出。

尤其是隨著資本回歸理性，射頻前端市場開始逐漸產生分化。一方面是小規模初創公司，由于規模體量較小，無法繼續通過價格換市場的方式獲得更多融資，越來越難以承受低價搶市場帶來的現金流惡化，進入惡性循環甚至面臨生存危機；另一方面是已經成規模的國內頭部射頻公司，調整價格策略和產品方向，逐步挑戰集成度更高、難度更大、利潤更好的高端產品，以實現逐步優化營收結構和利潤的目的。

面對行業挑戰，通過加強研發提升競爭力是擺脫內卷的唯一出路。

一方面，國內PA廠商需要不斷投入研發和創新，通過產品性能、工藝水平和技術服務的提升，核心技術節點的突破，聚焦高附加值領域，強化在5G-A、多元化市場等高端應用的布局，推出領先行業的產品，提升品牌競爭力和市場認可度，打造差異化競爭力，避免低價競爭。

另一方面，在鞏固國內市場的同時，積極拓展海外市場，用高性能的產品服務更多海外客戶群體，提升國際競爭力。

筆者認為，國產射頻廠商的成長需要時間，尤其是在國產替代的過程中，產業鏈廠商的支持至關重要。國產系統廠商應保持開放，與射頻廠商積極溝通，分享使用反饋，幫助國產芯片提升性能。同時，頭部系統廠商應加大投入，像蘋果和三星那樣進行深入分析與測試，而不僅僅依賴價格比較，以推動國產供應鏈逐步完善。

結語

射頻前端行業正處于快速發展期，市場需求的增長和技術進步為行業帶來了廣闊的發展空間。盡管國產射頻企業在全球市場仍處于追趕地位，但隨著技術突破和國產化替代的深入推進，5G、WiFi、物聯網等領域的進一步興起，迎來發展機遇。越來越多的國產射頻放大器企業開始嶄露頭角，逐漸打破了國外產品的壟斷局面。

但是，技術、產品升級，以及突破專利壁壘仍是橫亙在他們面前的兩座高山。高端之路和國產替代也不可能一蹴而就，唯愿本土射頻企業能咬定青山不放松，保持長期的戰略定力和持續的投入，盡快在國際市場上贏得了更多的話語權。