探索激光技術的多元應用與前沿進展

今天研習激光在微加工領域的應用，核心內容為激光在Micro LED顯示技術的應用情況。《Recent progress of laser processing technology in micro-LED display manufacturing: A review》

應用背景

Micro LED 作為下一代顯示技術的重要發展方向，在眾多領域展現出了廣闊的應用前景，但同時也面臨著一些挑戰。

隨著消費者對顯示質量要求的不斷提高，如在智能手機、電視等消費電子領域，人們渴望更清晰、更逼真、更節能的顯示效果，Micro LED 憑借其出色的色彩表現、高對比度、快速響應時間、高亮度和能效等優勢，能夠滿足這些需求，為用戶帶來卓越的視覺體驗。

在可穿戴設備、汽車顯示、AR/VR 等新興領域，對小型化、高分辨率、高可靠性和柔性顯示的需求日益增長。Micro LED 的特性使其成為這些領域的理想選擇，例如在智能手表中實現精準的信息顯示，在汽車儀表盤上提供清晰的駕駛信息，以及在 AR/VR 設備中增強沉浸感。

但是，Micro LED的制造工藝復雜，包括高精度的芯片制造、微納米級的蝕刻和轉移技術等，這些過程對設備和技術要求極高，且容易出現缺陷，導致生產良率較低，增加了制造成本。

目前 Micro LED 的大規模量產存在困難，如芯片巨量轉移等問題，限制了其產量的提升。同時，由于生產過程復雜和產量有限，Micro LED 的成本居高不下，這在一定程度上阻礙了其在市場上的廣泛應用。 * 激光在Micro LED的應用

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激光外延生長（Substrate Epitaxy）

原理：利用激光加熱、材料沉積，在襯底上生長 Micro LED 芯片。如脈沖激光沉積（Pulsed Laser Deposition, PLD）技術，通過激光脈沖照射靶材，使靶材表面原子和分子獲得足夠動能，形成等離子體羽狀物并沉積在襯底上形成薄膜；激光分子束外延（Laser Molecular Beam Epitaxy, LMBE）技術則是利用激光蒸發將金屬鎵和氮氣轉化為高能原子和分子束，通過精確控制激光束來實現原子和分子束的方向、強度等，從而在襯底表面進行沉積生長。脈沖激光沉積（PLD）材料精確控制：能實現微米級的局部生長和沉積，對結構控制更精準，如在制備光學薄膜和 GaN 薄膜時可精確控制材料生長位置和厚度。 生長溫度相對較低：與傳統化學氣相沉積（MOCVD）相比，PLD 可在較低溫度下進行材料生長，減少熱分解和不均勻生長問題。 適用材料和襯底廣泛：可用于多種類型材料和襯底，包括硅、藍寶石等。 但在大規模生產中，可能面臨生長速率慢和均勻性控制難的問題，適用于研究和小批量生產，可快速制備樣品。 *PLD技術原理

激光分子束外延（LMBE）

高質量生長：基于對原子和分子束的精確控制，可實現高質量晶體生長，提高 Micro LED 器件性能和可靠性。

生長變量多：生長溫度、氮氣流量和激光掃描頻率等參數對生長過程影響顯著。生長溫度影響材料結構、質量和生長速率；氮氣流量決定氮化物材料中氮含量，影響材料組成和性能；激光掃描頻率影響生長速率、晶體質量和表面形貌。

具備量產優勢：生長速率高、均勻性和重復性好，適合大規模生產 Micro LED 外延層，如在藍寶石襯底上生長 GaN 時，能有效減少極化效應影響，制備出高質量、低應力的 GaN 層。

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激光蝕刻（Laser Etching）

原理：將高能量激光束聚焦在芯片表面特定區域，使材料受熱發生化學或物理變化實現去除。

激光輔助干蝕刻（Laser-assisted dry etching）

性能優勢：與傳統電感耦合等離子體（ICP）/ 反應離子蝕刻（RIE）干蝕刻相比，具有更高的蝕刻速率（約為ICP/RIE 的16倍）、更好的蝕刻均勻性（空間均勻性可達 1-3%，優于 ICP/RIE 的3-5%）、更高的吞吐量（可達50-100 片 / 小時，而 ICP/RIE 為10-20片 / 小時）以及更優的器件側壁質量控制（側壁垂直度可達8-80°，表面粗糙度RMS可達0.5-1nm，均優于 ICP/RIE）。

工藝復雜：光刻是半導體微納結構制造的關鍵步驟，激光輔助干蝕刻中的光刻過程包括曝光、顯影、蝕刻和剝離四個主要步驟，需要精確對準掩模和圖案，且使用的UV激光能量吸收特性導致蝕刻深度相對較淺，對于需要較大深度的Micro LED可能需要多次處理。

*激光輔助干蝕刻工藝

激光直接寫入（Laser Direct Writing，LDW）

高精度無掩模蝕刻：無需傳統光刻掩模，直接通過控制激光束定位在材料表面形成圖案，可實現單步高精度、高效率的微納尺度制造，適用于GaN薄膜的多重和選擇性圖案化，能制造出更小的微結構。

加工效率高：加工速度快，適用于多種類型材料。與傳統LDW相比，超快 LDW（如飛秒激光）具有更高精度和更少熱損傷，飛秒激光脈沖極短，能避免熱傳導造成的熱損傷，已成為加工GaN薄膜的新手段。

*蝕刻后Micro LED示意圖

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激光剝離（Laser Lift-Off）

原理：利用短波長激光（光子能量高于 GaN 能帶隙但低于藍寶石和 AIN 能帶隙）從藍寶石側照射，激光能量被 GaN 外延層吸收，使表面 GaN 發生熱分解，產生的氮氣和液態鎵導致界面應力變化，促使外延層從襯底釋放。

*LLO原理

效率較高：已廣泛應用于 LED 和 Micro LED 生產中的襯底去除過程，轉移效率可達99.9%，但轉移精度相對略粗（約 ±10μm）。 *LLO后SEM-PSS結構

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激光巨量轉移（Laser Mass Transfer）

原理：通過激光照射透明基板上的動態釋放層（DRL），使局部能量吸收、消融和分解，產生的氣體壓力將界面材料和附著的器件轉移到目標基板。

激光誘導前向轉移（LIFT）

DRL 材料選擇： DRL 材料需具備在激光作用下能產生合適的粘附和釋放特性。 ①單層金屬膜（如 Au-DRL）曾被用于轉移熒光粉粉末，但可能殘留材料污染器件。 ②單層聚合物材料（如光分解性三嗪聚合物TP或聚酰亞胺PI）可分解成揮發性產物，減少污染，但TP產生的沖擊波可能損壞器件，PI通過熱分解產生氣體和機械能，實現高效高精度轉移。

為克服傳統 LIFT 技術的局限性，如低放置精度和芯片損傷問題，研究人員不斷嘗試新的方法。如激光誘導熱氣泡轉移技術，通過控制激光照射產生氣體形成氣泡護盾，溫和推動芯片轉移，提高了轉移精度并減少了損傷；還有通過優化 DRL 材料和結構、改進激光參數控制等手段，提升技術的穩定性和可靠性。

*LIFT原理

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激光輔助鍵合（Laser-assisted Bonding）

原理：利用高強度激光束照射金屬表面，使其熔化從而實現電氣連接。通過激光束的高精度和聚焦能力，對特定區域進行選擇性加熱和鍵合，增強鍵合精度和穩定性。

優勢： ①具有選擇性鍵合、局部加熱等優點，適用于小間距 Micro LED 的鍵合。 ②可減少熱應力和晶圓翹曲風險，提高生產效率，確保鍵合精度和穩定性，同時因其非接觸特性降低了芯片受損風險，提高了鍵合可靠性和成品率。 *激光輔助鍵合原理

*Au/Sn激光輔助鍵合

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激光檢測與修復（Laser Detection and Repair）

激光檢測原理：基于光致發光（PL）現象，當 Micro LED 被高能量激光束激發時，電子從導帶躍遷到價帶，發生輻射產生光子，通過檢測光子的特性（如波長、強度等）來評估 Micro LED 的性能。 非接觸性：激光檢測無需與 Micro LED 芯片直接接觸，避免對芯片造成物理損傷，保證了芯片的完整性和性能。 高精度：能夠精確檢測芯片的發光性能，通過調整激光光斑大?。山抵?2μm 以下），可實現對 Micro LED 的精確分析，對微小缺陷也能有效識別。 掃描檢測：對 Micro LED 進行掃描檢測，獲得PL 強度映射圖像，從而快速定位缺陷芯片的位置，提高檢測效率，如通過比較不同芯片的 PL 強度，可直觀發現強度較低的缺陷芯片。 * 激光檢測-PL強度

激光修復

利用高能量的紫外激光在缺陷區域進行消除，去除或修復 Micro LED 中的缺陷部分，該方法速度快、效率高，能夠在較短時間內去除芯片缺陷。 通過修復缺陷芯片，以提高 Micro LED 芯片的良率，減少廢品率，從而提升整個產品的質量和可靠性，降低生產成本，增強產品競爭力。 *激光修復流程

啟發：

① 激光在Micro LED領域的應用廣泛，以紫外激光為主，即波長范圍355nm、266nm、248nm等，傳統紅激光1064nm應用較少，這與Micro LED芯片自身特性及制造過程密切相關。

② 激光在該領域的應用是傳統激光應用的精細化，本質上相差不大。

③ 激光協同其他領域的技術是解決實際問題的關鍵。