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背景介紹

隨著電子設備小型化和高集成度的需求，低介電常數、低損耗和高熱導率的電子封裝材料在高頻通信和高功率密度電子設備中變得越來越重要。盡管聚合物因其優良特性被廣泛應用，但其低熱導率（約0.2 W/mK）難以滿足現代散熱需求。研究表明，添加高熱導率填料（如石墨烯、碳納米管和氮化硼等）可以顯著提高聚合物復合材料的熱導率，但需要大量填料來建立導熱網絡，這通常會導致介電常數和介電損耗的增加。因此，迫切需要新的解決方案來有效平衡熱導率和介電性能之間的矛盾，推動電子設備的性能和可靠性不斷提升。

02

成果掠影

近日，四川大學傅強、韓迪和張琴團將具有不同籠尺寸的T8、T10和T12降冰片烯POSS接枝到BNNS表面，合成了一系列新型納米填料，即BN-T8N、BN-T10N和BN-T12N。然后將這些納米填料加入聚雙環戊二烯（PDCPD）中，通過反應共混制備出綜合性能優異的高導熱、低介電常數聚合物納米復合材料。該研究通過將大尺寸POSS功能化的BNNS與PDCPD結合，成功制備了具有優異熱導率和低介電性能的聚合物納米復合材料，為電子封裝領域的應用提供了有希望的解決方案。研究成果以“Achieving low dielectric constant and high thermal conductivity polymer composites by using larger POSS functionalized boron nitride nanosheets”為題發表在《Journal of Materials Chemistry A》期刊。

03

圖文導讀

圖1. 制備PBN-Tn納米復合材料的示意圖。

圖2. 復合材料介電性能和正電子湮滅壽命譜圖表征。

圖3. 復合材料導熱性能表征。

圖4. 復合材料綜合性能表征。