国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Littelfuse發布超級結X4-Class功率MOSFET

力特奧維斯Littelfuse ? 來源:力特奧維斯Littelfuse ? 作者:力特奧維斯Littel ? 2024-11-26 14:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

提供業界領先的低通態電阻,使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化,性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET

超級結X4-Class 200V功率MOSFET

這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展,有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設計人員能夠用來替換多個并聯的低額定電流器件,從而簡化設計流程,提高應用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導通電阻,增強并補充了現有的Littelfuse X4-Class超級結系列產品組合。與當下最先進的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導通損耗的一系列低壓功率應用,包括:

電池儲能系統(BESS)

電池充電器

電池成型

DC/電池負載開關,以及

電源

“新器件將允許設計人員用一個器件解決方案取代多個并聯的低額定電流器件。”Littelfuse全球產品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示,“這種獨特的解決方案簡化了柵極驅動器設計,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率。”

超級結X4級功率MOSFET具有以下主要性能優勢:

低傳導損耗

最少的并行連接工作量

驅動器設計簡化,驅動器損耗最小

簡化的熱設計

功率密度增加

為什么對于看重極小導通損耗的應用來說具有低導通電阻的MOSFET是首選?

對于看重極小導通損耗的應用來說,具有低導通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導損耗,提高效率,并減少發熱。因此,它們非常適合電源、電機驅動器和電池供電設備等功率敏感型應用,在這些應用中,保持高效率和熱管理至關重要。

性能指標

5f907334-ab94-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

供貨情況

超級結X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨。可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權經銷商名單,請訪問 Littelfuse.com。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233562
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264201
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    9249

    瀏覽量

    148634
  • Littelfuse
    +關注

    關注

    5

    文章

    273

    瀏覽量

    98200

原文標題:【新品介紹】?Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET

文章出處:【微信號:Littelfuse_career,微信公眾號:力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    MOSFET相關問題分享

    的矛盾。采用超級技術有助于降低導通電阻,并提高MOS管開關速度,基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。 4.Q
    發表于 01-26 07:46

    UCCx732x4-A 峰值高速低側功率 MOSFET 驅動器:特性、應用與設計要點

    UCCx732x4-A 峰值高速低側功率 MOSFET 驅動器:特性、應用與設計要點 在現代電子設備的設計中,功率
    的頭像 發表于 01-12 10:10 ?279次閱讀

    芯源的MOSFET采用什么工藝

    采用的是超級工藝。超級技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的,用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用
    發表于 01-05 06:12

    MOSFET的基本結構與工作原理

    MOSFET(Super-Junction MOSFET,簡稱SJ-MOS)是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區,
    的頭像 發表于 01-04 15:01 ?2487次閱讀
    超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的基本結構與工作原理

    Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級MOSFET

    :LFUS)是一家多元化的工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4超級
    的頭像 發表于 12-12 11:40 ?572次閱讀
    <b class='flag-5'>Littelfuse</b>推出采用SMPD-<b class='flag-5'>X</b>封裝的200 V、480 A<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    芯源MOSFET的應用領域有哪些

    芯源MOSFET采用超級技術,主要有以下幾種應用: 1)電腦、服務器的電源--更低的功率損耗; 2)適配器(筆記本電腦、打印機等)--更輕、更便捷。 3)照明(HID燈、工業照明
    發表于 12-12 06:29

    選型手冊:MOT65R180HF N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數
    的頭像 發表于 11-18 15:39 ?309次閱讀
    選型手冊:MOT65R180HF N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R380F N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校
    的頭像 發表于 11-18 15:32 ?341次閱讀
    選型手冊:MOT65R380F N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校
    的頭像 發表于 11-10 15:42 ?399次閱讀
    選型手冊:MOT70R380D N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數
    的頭像 發表于 11-07 10:54 ?269次閱讀
    選型手冊:MOT70R280D N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R280D 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借700V級耐壓、超低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率
    的頭像 發表于 10-31 17:31 ?334次閱讀
    選型手冊:MOT70R280D 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率
    的頭像 發表于 10-31 17:28 ?377次閱讀
    選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉換場景的N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性
    的頭像 發表于 10-29 10:31 ?336次閱讀
    選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    新潔能Gen.4MOSFET 800V和900V產品介紹

    MOS采用垂直結構設計,在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區,形成“超級”單元,通過電荷補償技術突破傳統功率半導體“硅極限”的高壓器件,其核心設計通過優化電場分布實現低導通
    的頭像 發表于 05-06 15:05 ?1688次閱讀
    新潔能Gen.<b class='flag-5'>4</b>超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產品介紹

    LTS7410FJ N溝道超級溝槽功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LTS7410FJ N溝道超級溝槽功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-18 17:20 ?0次下載