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聯(lián)發(fā)科攜手臺積電、新思科技邁向2nm芯片時代

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-11-11 15:52 ? 次閱讀
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近日,聯(lián)發(fā)科AI相關領域的持續(xù)發(fā)力引起了業(yè)界的廣泛關注。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科正采用新思科技以AI驅(qū)動的電子設計自動化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進芯片設計,這一舉措標志著聯(lián)發(fā)科正朝著2nm芯片時代邁進。

此前,聯(lián)發(fā)科在3nm 5G旗艦芯片的推出上已經(jīng)領先了高通,而此次2nm制程的進展更是備受矚目。為了在這一領域保持領先地位,聯(lián)發(fā)科與新思科技擴大了協(xié)作范圍,共同利用臺積電最先進的制程與3DFabric技術,提供先進的EDA與IP解決方案,為AI與多晶粒設計加速創(chuàng)新。

新思科技近日宣布,他們將繼續(xù)與臺積電密切合作,為聯(lián)發(fā)科等合作伙伴提供強大的技術支持。通過這一合作,聯(lián)發(fā)科的設計人員可以在臺積電2nm制程上開發(fā)出滿足高性能模擬設計硅芯片需求的產(chǎn)品,從而進一步提升其在芯片設計領域的競爭力。

業(yè)界分析認為,聯(lián)發(fā)科此次攜手臺積電和新思科技,將為其在2nm芯片領域的發(fā)展奠定堅實基礎。隨著AI技術的不斷發(fā)展,聯(lián)發(fā)科將繼續(xù)加大在AI相關領域的投入,推動芯片設計的創(chuàng)新與發(fā)展。

可以預見,未來聯(lián)發(fā)科將在2nm芯片領域持續(xù)發(fā)力,為全球消費者帶來更加先進的芯片產(chǎn)品和解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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