電子發燒友網報道（文/莫婷婷）近期，中微公司發布了2024年前三季度報告，財報顯示公司實現營收 55.07 億元，同比增長36.3%。其中刻蝕設備收入 44.13 億元，同比增長約 53.77%。第三季度單季的刻蝕設備收入達到 17.15 億元，較上年同期增長 49.41%。產品交付和產值再創歷史新高，中微公司預計2024年預計新增訂單在 110-130 億元。

中微公司的主要產品包括刻蝕設備、MOCVD 設備、薄膜沉積設備，以及VOC 設備等其他設備。2024 年前三季度，公司等離子刻蝕設備收入 44.13 億元，占總收入比80.13%；其中 CCP (電容耦合等離子體刻蝕設備）收入 23.87 億元，占總收入比 43.33%；ICP (電感耦合等離子體刻蝕設備）收入 20.26億元，占總收入比 36.79%。

CCP和ICP是兩類主流的干法刻蝕設備，國內主要廠商有中微公司和華創北方。北方華創是ICP起家。中微公司是CCP起家，2007年研發了首臺CCP設備，隨著技術投入，進入更多半導體設備領域。僅僅是今年上半年，中微公司累計生產付運超過 3600 個 CCP 刻蝕反應臺，新增付運設備數量創歷史新高。


不過凈利潤下滑了21.27%，為9.12億元。對于凈利潤下滑，中微公司表示主要是受到研發投入增加的影響，前三季度的研發支出同比增長96.0%。前三季度公司研發支出 15.44 億元，占公司營業收入比例約為 28.03%。中微公司表示，“今年，市場對中微開發多種新設備的需求急劇增長，2024 年公司顯著加大研發力度，以盡快補短板，實現趕超?！?br />
先進制程和先進存儲拉動刻蝕設備的需求的關鍵，并且對設備技術也有更高的要求。資料顯示，先進制程對刻蝕工藝次數的要求更多，65nm制程、10nm制程、5nm制程分別需要20次、117次、160次刻蝕工藝，且對精確度也有更高的要求。而先進存儲芯片結構逐漸變得復雜，例如3D NAND層數不斷增加，則要求刻蝕技術有更高的深寬比。

在存儲器件制造工藝中，中微公司針對超高深寬比刻蝕自主開發的具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE 已經在生產線驗證出具有刻蝕≥60:1 深寬比結構的量產能力。該設備適用于 DRAM 和 3D NAND 器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝。

針對ICP設備，中微公司計劃推出下一代 ICP 刻蝕設備，以滿足新一代的邏輯、DRAM 和 3D NAND 存儲等芯片制造對 ICP 刻蝕的需求。

在薄膜沉積設備方面，目前在研發的薄膜沉積類產品一共有 20 多類，2023 年已經付運
客戶端的設備有 6 類，主要為 CVD/HAR/ALD W 鎢設備，TiN/TiAI/TaN ALD 設備。中微公司表示2024年、2025年，公司會新增 10 余類產品交付客戶。

MOCVD 設備方面，中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應用的市場，并在 Micro-LED和其他顯示領域的專用 MOCVD 設備開發上取得進展，幾款已付運和即將付運的 MOCVD 新產品正在陸續進入市場。

此外，中微公司的EPI 設備已順利進入客戶端量產驗證階段，已完成多家先進邏輯器件與 MTM 器件客戶的工藝驗證。

市場需求的增加為中微公司帶來更多的訂單，也是前三季度業績增長的關鍵。中微公司前三季度新增訂單76.4 億元，同比增長約 52.0%。其中刻蝕設備新增訂單 62.5 億元，同比增長約 54.7%；新產品 LPCVD 新增訂單3.0 億元，新產品 LPCVD 設備首臺銷售收入為 0.28 億元，開始啟動放量。

中微公司表示，根據客戶訂單需求，前三季度共生產專用設備 1,160 腔，同比增長 約 310%，對應產值約 94.19 億元，同比增長約 287%。