無線傳感器網(wǎng)絡(luò)通過傳感器實(shí)時(shí)采集更多的數(shù)據(jù)并進(jìn)行遠(yuǎn)程更新，但是, 一般的微控制器技術(shù)、傳感器供電問題和Flash存儲擦寫次數(shù)很難滿足這些應(yīng)用。本文主要提到國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20來解決傳感器數(shù)據(jù)存儲和微控制器技術(shù)問題。

普通微控制器一般采用的是Flash和EEPROM存儲，基于鐵電存儲器SF25C20的微控制器可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。當(dāng)從鐵電存儲器中執(zhí)行代碼時(shí)，還有效降低了功耗。鐵電存儲器的擦寫次數(shù)可以達(dá)到100萬次，對很多應(yīng)用而言，這樣的擦寫次數(shù)幾乎是不受限制的。

國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20的核心技術(shù)是鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。它的工作電壓范圍為2.7V至3.6V，最低待機(jī)功耗只有9微安，能在低電流的情況下可靠而無延遲的儲存數(shù)據(jù)，防止掉電后數(shù)據(jù)丟失。另外，SF25C20是非易失性存儲器，在所有電源模式中均可提供數(shù)據(jù)保存能力，有了FRAM，就不必再采用單獨(dú)的EEPROM和依賴電池供電的SRAM。

SF25C20性能參數(shù)介紹：

? 容量：2M bit，提供SPI接口；

? 工作頻率是25兆赫茲；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

? 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

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