12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議（SISC2017）上，日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司（Fujitsu Laboratories Ltd）介紹了據稱是第一個室溫下實現單晶金剛石和碳化硅（SiC）襯底焊接，關鍵是這兩者都是硬質材料，但具有不同的熱膨脹系數。

使用這種技術散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），從而使功率放大器在高功率水平下穩定工作。

近年來，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達和無線通信等遠程無線電領域，預計還將用于天氣雷達觀測局部暴雨，或者即將出現的5G毫米波段移動通信協議。對于這些使用微波到毫米波頻段雷達或無線通信系統，通過提高用于傳輸的GaN-HEMT功率放大器的輸出功率，無線電波能夠傳播的距離將增大，可擴展雷達觀測范圍，實現更遠和更高容量的通信。

圖1傳統GaN HEMT功率放大器

圖1中，GaN HEMT功率放大器的一些輸入功率會轉化成熱量，然后分散到SiC沉底。由于提高雷達和無線通信的射程和功率也增加了器件產生的熱量，這對其性能和可靠性產生不利影響，因此需要將器件熱量有效地傳輸到冷卻結構（散熱片）。

盡管SiC襯底具有相對較高的導熱率，但是對于具有越來越高的功率輸出的器件而言，需要具有更好的導熱率的材料以有效地將器件熱量運送到冷卻結構。 單晶金剛石具有非常好的導熱性-幾乎是SiC襯底的5倍 - 被稱為可以有效散熱的材料。

為了將單晶金剛石鍵合到作為冷卻材料的器件上，正常的生產過程使用氬（Ar）束去除雜質，但這會在表面形成低密度的受損層，這會削弱單晶金剛石可能形成的鍵合。此外，使用諸如氮化硅（SiN）的絕緣膜用于鍵合，由于SiN存在熱阻會削弱導熱性。

為了防止Ar束在金剛石表面形成損傷層，富士通開發了一種技術，在暴露于Ar束之前用極薄的金屬膜保護表面（見圖2）。 為了確保表面是平面的（為了在室溫下良好的鍵合），金屬膜的厚度需限制在10nm或更薄。

圖2與金剛石鍵合的GaN HEMT功率放大器結構

這種技術被證實可以防止Ar束暴露后在金剛石表面形成損傷層（圖3），從而提高了鍵合強度，從而使得單晶金剛石在室溫下與SiC襯底鍵合。

圖3 Ar束暴露后的金剛石截面

在室溫下測量了粘樣品的熱阻，發現SiC /金剛石界面的熱阻極低，為6.7×10-8m2K/W。使用這一測量參數進行的仿真表明，該技術將顯著降低200W級GaN-HEMT器件的熱阻，降至現有器件的61％（相當于表面溫度降低80°C），見圖4。

圖4 200W級GaN HEMT功率放大器仿真對比

因此這種技術可以用于生產具有更高輸出功率發射器的GaN-HEMT功率放大器。 當用于天氣雷達等系統時，用于發射器的GaN-HEMT功率放大器可望將雷達的可觀測范圍提高1.5倍，這樣可以更快地檢測到能夠產生突然暴雨的積雨云，從而為災難做好準備。

富士通計劃利用該技術評估GaN-HEMT的熱阻和輸出性能，并計劃在2020年將其應用于高輸出、高頻功率放大器，應用于氣象雷達和5G無線通信系統。

該研究獲得了日本防務省采購、技術與后勤局（ALTA）設置的“安全創新科技計劃”（the Innovative Science and Technology Initiative for Security）。

這項研究部分得到了日本國防部收購，技術和后勤局（ALTA）設立的創新科技安全倡議的支持。