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普賽斯儀表 | 納米材料霍爾效應/電阻率等電性能參數(shù)測試解決方案

武漢普賽斯儀表有限公司 ? 2024-09-12 15:05 ? 次閱讀
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納米材料/納米電子器件電學測試面臨的挑戰(zhàn)

1、納米級尺寸

性能不同于宏尺寸材料與器件

狀態(tài)變化快,對測試儀器響應速度有要求

2、測試信號微弱

多在樣品研發(fā)階段

單位面積產(chǎn)生的電壓/電流的微弱信號

電流信號nA甚至pA級,對設備的微弱信號檢測能力要求高

3、外部噪聲干擾

需要降低外部噪聲影響,屏蔽濾波,無干擾

降低熱電噪聲,材質、溫度

適當?shù)倪B接方式:四線制,降低線損壓降;三同軸GUARD方式,降低線纜漏電流

納米材料電學性能的表征和分析

1、霍爾效應測試

當電流垂直于外磁場通過納米材料時,載流子發(fā)生偏轉,垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生附加電場,從而在半導體兩端產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應。霍爾效應測試常用的測試方法是范德堡法,并在測試時外加磁場。

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2、電阻率測試

二維納米材料(如石墨烯)電阻率測試是重要的測試項目,測試方法主要為四探針法與范德堡法。

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納米材料高溫原位表征技術

高溫原位表征系統(tǒng)基于高精度數(shù)字源表,控制MEMS芯片在原位樣品臺內對樣品構建精細熱場自動調控及反饋測量系統(tǒng),并結合透射電子顯微鏡(TEM)研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結構相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關鍵信息,是納米材料結構表征科學最新穎、最有發(fā)展空間的表征技術之一。

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納米材料的典型應用及電性能測試方案

1、納米電極材料應用及測試表征

碳納米管具有優(yōu)異的機械性能和電化學性能,電導率及循環(huán)伏安法是表征電極材料電性能的重要手段,循環(huán)伏安法測試過程中,使用較多的是三電極系統(tǒng)和兩電極體系。

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2、雙極板(BPP)材料應用及測試表征

極板(Bipolar plate,以下簡稱BP)是燃料電池的一種核心零部件,作為核心部件,體電阻率測試是雙極板材料性能的重要表征技術之一。

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3、納米發(fā)電材料應用及測試表征

由于納米發(fā)電自身的技術原因,在測試時具有電流信號微弱(低至μA甚至nA級);內阻大,開路電壓很難測準;信號變化快,難以捕獲電壓或電流峰值等特點。推薦使用普賽斯S系列直流源表、P系列脈沖源表或CS系列插卡式多通道源表,搭配上位機軟件,可實現(xiàn)納米發(fā)電材料輸出電壓以及輸出電流隨時間變化的曲線:V-t、I-t等,適用于摩擦發(fā)電、水伏發(fā)電、溫差發(fā)電等納米發(fā)電研究領域。

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4、納米壓敏陶瓷材料應用及電性能測試表征

壓敏電阻的電學特性主要包括壓敏電壓、漏電流、封裝耐壓、響應度等方面。由于器件本身耐壓高,測試需要高壓,同時需要nA級小電流測量能力,推薦使用普賽斯P系列脈沖源表或E系列高電壓源測單元,P系列脈沖源表具備300V高壓,小電流低至1pA;E系列高壓源測單元最大電壓高達3500V、最小電流低至1nA。

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5、有機場效應晶體管應用及測試表征

有機場效應晶體管(OFET)是一種利用有機半導體組成的場效應晶體管。主要性能指標有遷移率、開關電流比、閾值電壓三個參數(shù),通常用輸出特性曲線和轉移特性曲線來表征。推薦使用普賽斯SPA6100半導體參數(shù)分析儀來進行I-V測試以及C-V測試。

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