隨著IoT技術(shù)的發(fā)展，高速、大容量、超低延遲、多路同接入特點(diǎn)的5G通信正迎來全面實(shí)施時(shí)期。基站小型化的需求正在逐年增加，對(duì)通信質(zhì)量起決定性作用的晶體振蕩器也被要求小型化、高精度。國(guó)產(chǎn)高精度TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）是業(yè)界首款數(shù)字技術(shù)TCXO芯片，能夠替換SiTime的相關(guān)產(chǎn)品，非常適用于需高速、大容量通信的5G基站。

國(guó)產(chǎn)溫補(bǔ)晶振支持多種標(biāo)準(zhǔn)頻率支持各式輸出格式，用戶可指定器件上電默認(rèn)輸出頻率，格式及使能狀態(tài)。該器件是采用的是數(shù)模混合的補(bǔ)償架構(gòu)，擁有更高性能、更低功耗，他可以提供10~156.25MHz范圍的輸出頻率；這使得它在多種應(yīng)用領(lǐng)域中都有廣泛的適用性。

國(guó)芯思辰高性能晶振/溫補(bǔ)晶振特點(diǎn)介紹如下：

?支持各類輸出格式，如LVDS，LVPECL，HCSL等；

?支持0.8~1.2V低電壓LVCMOS；

?-40~105℃全溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度：

差分晶振:±10ppm；

溫補(bǔ)晶振:±0.5/0.28/0.05ppm；

?極低功耗：低電壓LVCMOS輸出模式整體電流小于2mA；

極低相噪，-125 dBc/Hz @100Hz；

極低抖動(dòng)，達(dá)100fs以下；

? VCXO，DCXO，VCTCXO進(jìn)階功能選項(xiàng)；

?內(nèi)置LDO，只需旁路電容濾波，簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)；

?提供5032、3225、2520、2016封裝選項(xiàng)；

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