隨著技術的不斷進步，IGBT的設計和制造也在持續優化。現代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性，還減小了尺寸和重量，這對于空間受限的應用尤為重要。

此外，通過集成智能控制和保護功能，IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統，確保其安全穩定運行。隨著全球對高效能源利用和減少碳排放的需求日益增長，IGBT技術的發展將繼續扮演關鍵角色，推動電力電子技術向更高效、更環保的方向發展。

特瑞諾TIRNNO憑借多種 1350V 功率器件進入IGBT市場，旗下的 1350V 系列IGBT 采用堅固、經濟高效的逆導型場阻溝槽IGBT技術，在高達 175°C 的工作溫度下提供極低的傳導和開關損耗性能以及高水平的堅固性。

TGA系列IGBT可配備全額定或半額定二極管，或保護二極管以防止意外反向偏置，從而為優化特定應用需求的行為提供了額外的自由。

其中一款產品是20A的 TGAN20S135FD IGBT，采用TO-3PN封裝技術，TIRNNO通過在其綜合產品組合中增加 IGBT，滿足了對具有一系列性能和成本標準的高效高壓開關器件日益增長的需求，這使公司能夠滿足各種客戶需求，這提高了電源逆變器、感應加熱器、變頻微波爐和軟件開關應用的效率和可靠性。

TGAN20S135FD IGBT 特征：

·1350V 逆導型場阻溝槽IGBT技術

·優異的電磁干擾(EMI)性能

·高速開關

·低導通損耗

·正溫度系數

·易于并聯運行

·175℃工作溫度

·符合RoHS標準

·JEDEC認證

應用：

·感應加熱

·變頻微波爐

·軟開關應用