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電子科大&中南大學:研發大范圍、高線性、快響應的納米機電諧振式氣壓傳感器

傳感器專家網 ? 來源:傳感器專家網 ? 作者:傳感器專家網 ? 2024-06-17 18:49 ? 次閱讀
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【電子科大&中南大學:研發大范圍、高線性、快響應的納米機電諧振式氣壓傳感器

近日,電子科技大學王曾暉教授、夏娟研究員團隊與中南大學周喻教授團隊合作報道了基于非層狀二維材料β-In2S3的超高頻諧振式納米氣壓傳感器,實現了寬量程(從10-3 Torr直至大氣壓)、高線性(非線性程度僅為0.0071)和快響應(內稟響應時間低于1微秒)的優異傳感性能。研究人員還闡明了納米機電諧振器的頻率設計規律,并成功實驗測定了材料彈性模量和器件內應力,為基于二維非層狀材料的新型低維納米器件的晶圓級設計與集成賦能。該成果近日發表于InfoMat期刊,論文的通訊作者還包括電子科技大學朱健凱博士(中國微米納米技術學會首屆優秀博士論文獎獲得者)。

二維非層狀材料具有應用于納米機電結構中的潛力,并因其獨特的物理特性和表面活性,有望進一步實現性能優異的傳感器件。然而,由于納米機電器件對于材料穩定性和導電性等方面的要求,以及器件制備的難度,這一極具前景的應用范式一直未得到探索。近日,該團隊研究人員利用β-In2S3這一具備高載流子遷移率和適中帶隙的二維非層狀半導體,制備了一系列工作頻率在超高頻頻段的納米機電諧振器,實現的氣壓傳感性能在同類器件中暫居最優。

研究人員利用圓形納米鼓膜(圖1A?C)的動態響應考察器件彈性特征。通過自主設計并優化的激光干涉位移測量系統,有效地表征了納米諧振器的超高頻段頻域動態響應(圖1D)。為驗證β-In2S3納米諧振器的氣壓傳感性能,研究人員在10-4 Torr至大氣壓的寬氣壓范圍內不間斷追蹤器件動態響應,并分析了諧振頻率和質量因子的調控機制。研究表明,諧振頻率隨氣壓增加而線性增長,響應度高達259.77 ppm/Torr(即每Torr氣壓變化將引入高達2.328 KHz的頻偏),而非線性程度僅為0.0071,揭示了該傳感器的優異響應性能(圖1E)。此外,耗散因子隨氣壓增加引入的額外空氣阻尼呈下降趨勢,理論分析表明該傳感器在大氣壓下的響應速度可達0.95微秒。

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圖1. (A?C)二維β-In2S3納米機電諧振器的(A)結構示意圖、(B)器件顯微圖及(C)電鏡圖;(D)諧振器的基模諧振響應實驗數據(藍線)及模型擬合(紅線);(E)諧振頻率與耗散因子受腔室氣壓的調控關系(部分氣壓范圍)。

研究人員制備并測試了24個不同厚度和尺寸的β-In2S3納米諧振器,它們工作頻率遍布8.48 MHz至89.97 MHz的寬頻率范圍(圖2A),并呈現與厚度相關的耗散機制(圖2B)。通過對諧振器本征頻率的理論分析,研究人員提出了不同器件幾何所對應的器件彈性特征的分區規律,并在實驗數據上得到驗證。該研究還確定了β-In2S3材料的楊氏模量(45 GPa)和內建應力(約0.5 N/m內),為基于二維非層狀材料的新型納米機電器件的設計、分析、調控和應用提供了堅實的理論基礎。

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圖2. β-In2S3納米諧振器的性能及頻率設計規律圖。(A)實測的基模諧振頻率(散點)及理論分析得到的頻率設計規律(實線及陰影);(B)從實驗數據中提取的耗散因子(Q)與器件尺寸的關系圖。

三星公布新芯片工藝節點:2nm工藝SF2Z將于2027年大規模生產】

當地時間6月12日,三星電子在加州圣何塞的設備解決方案美國總部舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF),公布了其最新代工技術路線圖和成果。

三星公布了兩個新工藝節點,包括SF2Z和SF4U。其中,SF2Z是2nm工藝,采用背面電源輸送網絡(BSPDN)技術,計劃在2027年大規模生產。SF4U則是4nm工藝變體,通過結合光學縮放技術改進功率、性能和面積(PPA),該工藝計劃于2025年量產。

此外,三星重申,公司對SF1.4(1.4nm)的準備工作進展順利,正在按計劃達成性能和量產目標,預計該工藝將于2027年量產。

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【“同濟系”與全球500強企業霍尼韋爾簽約!】

同馭汽車介紹,此次簽約合作,雙方將結合同馭汽車領先的線控底盤技術與霍尼韋爾的尖端傳感技術,合作開發可靠、智能、高效的線控底盤創新解決方案,共同推進汽車產業技術創新與智能底盤技術發展。

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據了解,同馭汽車是中國汽車智能底盤系統一級供應商,從事“新一代線控底盤關鍵技術”的研發和產業化,是全球極少數具備線控制動系列產品量產能力的公司之一。企業成立于2016年,是同濟大學在嘉定校區培育的具有自主研發能力的高科技企業,目前擁有上海嘉定、江西宜春兩大基地,以及南京研發分中心。企業已建成年產能150萬套智能制動系列產品的智能制造工廠,位于嘉定的總部、研發中心、營銷中心和生產基地項目也即將開工。

霍尼韋爾公司旗下的智能工業科技集團提供行業領先的自動化控制系統、自動識別設備及軟件、全面的個人防護設備、氣體探測儀器儀表、定制傳感器和開關以及熱能綜合解決方案等,通過技術創新助力可持續發展和數字化轉型,為企業打造競爭優勢并優化運營績效。目前,霍尼韋爾所有業務集團均已落戶中國,其亞太區總部設在上海。

【豪威新傳感器曝光:一英寸大底 小米和榮耀已開始測試】

6月11日,CNMO了解到,博主“智慧皮卡丘”爆料稱,豪威系列即將迎來新的傳感器產品,擁有大底設計,更是配備了“真一英寸”規格。目前,小米和榮耀已經開始了相關測試工作。更令人期待的是,博主表示,新傳感器的功耗也有所提升,預示著其性能將更為出色。從博主帶的“詞條”來看,小米15有望搭載該傳感器。

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在豪威集團目前的產品線中,最新的傳感器型號為“OV50K40”。這款傳感器采用了全球首創的TheiaCe技術,單次曝光能力接近人眼級別的動態范圍。具體參數方面,OV50K40擁有5000萬像素和1/1.3英寸的大底,像素面積達到了1.2微米。同時,它還支持像素四合一輸出1250萬像素,以及四相位檢測(QPD)和2x2相位檢測自動對焦(PDAF)功能,具備超快的自動對焦性能。

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在視頻拍攝方面,OV50K40同樣表現出色。它支持120幀/秒和60幀/秒(HDR)的視頻錄制,并且支持完整的5000萬像素拜耳輸出,為用戶帶來優質的8K視頻和2倍裁切變焦功能。

另外,據博主“體驗more”的爆料,小米15 Pro將配備一套強大的影像系統。該系統包括5000萬主攝、5000萬超廣角和5000萬3倍潛望長焦,其中主攝正是采用了豪威集團的OV50K傳感器。該傳感器將為小米15 Pro的影像表現增添不少亮點。

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