據百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國政府正考慮深化對華出口管制措施，旨在阻礙中國獲取先進的全柵場效應晶體管（GAA）技術及高帶寬存儲器（HBM）技術，這兩項技術均為高端芯片制造的關鍵要素，尤其影響人工智能加速器的效能。

GAA晶體管設計因能顯著增加晶體管集成度并帶來功耗與性能上的優化而備受矚目，當前僅三星電子在其最先進的3納米制程中實現了商業化應用。英特爾和臺積電分別規劃于Intel 20A節點和2納米節點引入GAA技術。此番限制若實施，無疑將為中國獲取最前沿的半導體技術設置更多障礙。

盡管美、日、歐已有的出口控制策略已對中國獲取16/14納米以下的半導體制造設備構成限制，中國半導體產業仍舊展現出韌性，通過各種途徑提升既有工藝水平，包括實現7納米芯片的規模化生產，并探索在無須極紫外光刻(EUV)設備的情況下推進至5納米制程的可能性。

業內人士指出，中國半導體制造商或可嘗試將GAA技術融入現有的7納米工藝中，盡管這無法完全比肩3納米及以下GAA技術的優越性，但仍有望在能效與性能上取得一定進步。借助現有的芯片制造設施，中國可能利用單步圖案化技術克服難關。

華為云計算部門負責人張平安近期發聲，預判中國短期內難以獲取3.5納米及以下級別的芯片制造裝備，強調應側重于挖掘和優化當前7納米工藝的潛力。

截至目前，關于加強對GAA技術出口限制的具體條款尚未見諸官方公告，相關傳言均源自匿名信源，其真實度有待驗證。相比之下，針對HBM技術出口的新增約束似乎更為緊迫，鑒于HBM技術對推動人工智能芯片創新及生成式AI模型發展的重要性，而人工智能恰為美國嚴格管控并針對中國實施限制的核心技術領域。

審核編輯 黃宇