實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之—是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。解決了傳統(tǒng)多臺(tái)測(cè)試儀表之間編程、同步、接線繁雜及總線傳輸慢等問(wèn)題。

常見測(cè)試

半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等。直流I-V曲線是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。分立器件的種類繁多，引腳數(shù)量及待測(cè)參數(shù)各不相同。除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

1、二極管特性的測(cè)量與分析

2、雙極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

3、MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

4、MOS器件的參數(shù)提取

普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表(SMU)可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。

以三端口MOSFET器件為例，共需要以下設(shè)備：

四線制電阻測(cè)量

普賽斯高精度數(shù)字源表（SMU）支持4線制測(cè)量功能，以解決在測(cè)量小電阻時(shí)，固有的線纜電阻帶來(lái)的測(cè)量誤差問(wèn)題。

三同軸電纜保護(hù)電路

當(dāng)測(cè)量低電平電流時(shí)，建議使用三同軸電纜。三同軸電纜有一個(gè)額外的屏蔽，而同軸電纜沒(méi)有。這確保了更低的電流泄漏，更好的R-C時(shí)間恒定響應(yīng)，和更大的抗噪聲性。

二極管測(cè)試

二極管的主要參數(shù)有正向?qū)▔航担╒F）、反向漏電流（ID）和反向擊穿電壓（VR）等。

三極管測(cè)試

三極管是電流放大器件，主要參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO/I CEO、反向擊穿電壓VEBO/VCBO/VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線

等參數(shù)。以雙端口二極管為例，系統(tǒng)主要由1臺(tái)普賽斯高精度數(shù)字源表（SMU）、夾具、上位機(jī)軟件構(gòu)成。

MOSFET測(cè)試

MOS管主要參數(shù)有開啟電壓VT(也稱閾值電壓VGS(th)或夾斷電壓Vp、零柵電壓漏電流IDSS，輸入/輸出特性曲線、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS，最大漏

源電壓VDS等。