實施半導體分立器件特性參數分析的最佳工具之—是數字源表(SMU)。數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。解決了傳統(tǒng)多臺測試儀表之間編程、同步、接線繁雜及總線傳輸慢等問題。

常見測試

半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場效應管等。直流I-V曲線是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。分立器件的種類繁多，引腳數量及待測參數各不相同。除此以外，新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

1、二極管特性的測量與分析

2、雙極型晶體管BJT特性的測量與分析

3、MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析

4、MOS器件的參數提取

普賽斯“五合一”高精度數字源表(SMU)可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。

系統(tǒng)結構

系統(tǒng)主要由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺、上位機軟件構成。

以三端口MOSFET器件為例，共需要以下設備：

四線制電阻測量

普賽斯高精度數字源表（SMU）支持4線制測量功能，以解決在測量小電阻時，固有的線纜電阻帶來的測量誤差問題。

三同軸電纜保護電路

當測量低電平電流時，建議使用三同軸電纜。三同軸電纜有一個額外的屏蔽，而同軸電纜沒有。這確保了更低的電流泄漏，更好的R-C時間恒定響應，和更大的抗噪聲性。

二極管測試

二極管的主要參數有正向導通壓降（VF）、反向漏電流（ID）和反向擊穿電壓（VR）等。

三極管測試

三極管是電流放大器件，主要參數有電流放大系數β、極間反向電流ICBO/I CEO、反向擊穿電壓VEBO/VCBO/VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線

等參數。以雙端口二極管為例，系統(tǒng)主要由1臺普賽斯高精度數字源表（SMU）、夾具、上位機軟件構成。

MOSFET測試

MOS管主要參數有開啟電壓VT(也稱閾值電壓VGS(th)或夾斷電壓Vp、零柵電壓漏電流IDSS，輸入/輸出特性曲線、低頻互導gm、輸出電阻RDS，最大漏

源電壓VDS等。