上海華虹宏力半導體制造有限公司于2024年5月28日提交的名為“半導體器件的形成方法”的專利已正式發布，專利公開編號為CN118099098A。

該技術方案主要包括以下步驟：首先在襯底內構建第一溝槽與第二溝槽，其中第一溝槽位于MOS區域，第二溝槽位于SBR區域；接著在上述溝槽的內壁依次制備第一氧化物層、氮化物層以及第二氧化物層；然后在第一溝槽底部及第二溝槽底部分別形成第一屏蔽柵與第二屏蔽柵；再在第一屏蔽柵與第二屏蔽柵表面分別制備第一隔離層與第二隔離層；隨后去除第一溝槽側壁的第二氧化物層與氮化物層，同時去除第二溝槽側壁的第二氧化物層與第一溝槽側壁的第一氧化物層；最后在第一溝槽側壁制備柵氧化層，其厚度應大于第一氧化物層厚度，并去除第二溝槽側壁的氮化物層，同時在第一溝槽內制備第一柵多晶硅，在第二溝槽內制備第二柵多晶硅。