近日，日本市場研究公司富士經濟發表了一份研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術趨勢》，總結了功率半導體晶圓市場的研究結果。報告稱，2024年功率半導體市場預計將比上年增長23.4%，達到2813億日元。

盡管硅功率半導體硅片市場因庫存調整而較上年下滑，但SiC（碳化硅）裸片銷量的快速增長成為推動整體市場增長的關鍵因素。SiC裸片銷量預計同比增長56.9%，超過硅片市場。：

從2025年起，隨著功率半導體需求的不斷增長，市場預計將進一步擴大。特別是，汽車電動化帶來的需求增加將推動SiC裸片成為長期市場驅動力，而硅片也有望擺脫產量調整的影響。

隨著功率半導體需求的增加，晶圓的直徑也在不斷增加。除了轉向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場預計從2025年起，8英寸（200mm）晶圓將開始占據重要地位。

GaN（氮化鎵）晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開始量產等附加內容也被視為未來市場發展的重要趨勢。

預計到2035年，功率半導體晶圓市場規模將擴大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。這主要得益于SiC裸片、GaN晶圓和氧化鎵晶圓等技術的進一步發展和應用。