據報道，據傳三星最新款HBM芯片尚未通過英偉達測試，原因是芯片存在發熱和功耗問題。

但三星電子發表聲明予以否認，堅稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作，并持續與其他商業伙伴緊密合作，保證產品質量與可靠性。

值得關注的是，三星近期已經大量生產其第五代HBM芯片——容量為24GB（8-Hi）或36GB（12-Hi）的HBM3E產品。

然而，與競爭對手SK海力士及美光相比，三星并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是繼續沿用1a nm顆粒，因此在能耗方面略顯不足。

再加上此次引發的質疑，部分分析師對三星能否迅速從SK海力士手中搶回市場份額產生疑慮。