近日，日本市場研究機構(gòu)富士經(jīng)濟發(fā)布的報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢與技術(shù)趨勢》，深度分析了功率半導(dǎo)體晶圓市場現(xiàn)狀及其發(fā)展前景。

報告預(yù)測，2024年，全球功率半導(dǎo)體市場將較去年增長23.4%，達(dá)到2813億日元。盡管受庫存調(diào)整影響，硅功率半導(dǎo)體硅片市場略有下降，但得益于各大廠家產(chǎn)能提升，預(yù)計SiC裸片銷量將同比增長達(dá)56.9%，超硅片市場。

展望未來，伴隨功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上漲，預(yù)計市場規(guī)模將逐步擴大。尤其是汽車電動化推動下，SiC裸片有望成為市場主要驅(qū)動力，硅片亦有望擺脫產(chǎn)量調(diào)整影響。同時，GaN晶圓直徑增大及氧化鎵晶圓量產(chǎn)等新進展，預(yù)示著2035年市場規(guī)模將擴增至10，763億日元，為2023年的4.7倍。

盡管當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場尚處起步階段，但諸如金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等前沿技術(shù)正積極研發(fā)，其實際應(yīng)用令人期待。

報告指出，近年來，隨著功率半導(dǎo)體需求攀升，晶圓直徑不斷加大。除轉(zhuǎn)向300mm硅晶圓外，預(yù)計自2025年起，8英寸（200mm）SiC裸晶圓市場將迎來爆發(fā)式增長。此外，6英寸（150mm）GaN晶圓和氧化鎵晶圓也在加緊研發(fā)中，以滿足功率半導(dǎo)體市場需求。

然而，現(xiàn)階段硅功率半導(dǎo)體主要依賴8英寸晶圓供應(yīng)，預(yù)計未來8英寸晶圓占比仍將保持在60%以上（按晶圓數(shù)量計算）。300mm晶圓日益廣泛應(yīng)用于IGBT和MOSFET，隨著汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域需求增長，其采用率預(yù)計將繼續(xù)提高，未來除特定器件外，8英寸和300mm晶圓將分別占據(jù)主導(dǎo)地位。

另據(jù)報道，目前SiC裸片以6英寸為主，預(yù)計該狀況將維持一段時間，但8英寸晶圓市場預(yù)計將于2025年啟動，部分樣品已開始出貨，預(yù)計到2035年，8英寸晶圓將占全部SiC裸晶圓（按晶圓數(shù)量計）的13.3%。相比之下，傳統(tǒng)4英寸晶圓預(yù)計僅在中國和日本等少數(shù)地區(qū)得到應(yīng)用，未來市場規(guī)?；?qū)⒅饾u萎縮。