據業界透露，三星電子近日決定加快新一代DRAM——1dnm內存的技術研發進程。目前DRAM領域最新的制造工藝為第五代10+nm系列的1bnm。

全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光，計劃在今年三季度到明年逐步實現1cnm的量產。然而，1dnm工藝則排在1cnm之后，預計量產時間要等到2026年以后。

通常情況下，三星電子在每一代DRAM工藝的PA（工藝架構）階段才會組建包括半導體和工藝工程師在內的綜合性團隊。但此次在1dnm節點上，團隊組建時間提前了1~2年，目前已有數百名相關人員參與其中。

與現有工藝相比，1dnm工藝將大幅增加EUV光刻的使用量，這無疑給研發帶來更大挑戰。三星電子此舉意在加速量產準備工作，縮短工藝優化周期。

近兩年來，三星電子在DRAM技術方面的領先地位受到了挑戰：在1anm節點上，美光搶先實現量產；在1bnm節點上，三家公司的量產時間基本相同；而在即將到來的1cnm節點，SK海力士有望占據先機。此外，由于之前解散HBM內存研發團隊的決策失誤，三星電子在HBM3（E）內存市場上也處于劣勢。

為了扭轉當前的不利局面，三星電子計劃加大對1dnm DRAM研發的人力物力投入，以期重塑其在內存技術領域的優勢地位，同時借助DRAM技術升級推動HBM業務的發展。