5 月 6 日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 發(fā)布報(bào)告稱，預(yù)計(jì)至 2025 年，HBM 內(nèi)存市場(chǎng)將持續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)能及市占份額將持續(xù)攀升。

該報(bào)告顯示，2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%，但預(yù)計(jì)今年將增至 5%，明年則有望突破 10%；而在市場(chǎng)份額上，從去年的 8%上升至今年的 21%，且到明年有望進(jìn)一步激增至超過三分之一。

值得注意的是，目前 HBM 與傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存的價(jià)差為約五倍，且 HBM3e 內(nèi)存的良率處于低位，僅有 40~60%。但報(bào)告也提及，供需雙方已于今年第二季度展開關(guān)于 2025 年 HBM 訂單的初步價(jià)格談判。IT 媒體此前引述，美光和 SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能已全部售出。

由于整體 DRAM 產(chǎn)能限制，HBM 內(nèi)存供應(yīng)商已初步提高了 5~10%的定價(jià)，涵蓋 HBM2e、HBM3、HBM3e 等產(chǎn)品線。盡管如此，HBM 買家對(duì)人工智能（AI）的發(fā)展充滿信心，愿意承受價(jià)格的進(jìn)一步上漲。然而，供應(yīng)商方面，未來 HBM 內(nèi)存的單價(jià)將受到可靠性和供應(yīng)能力的影響，可能會(huì)導(dǎo)致價(jià)差擴(kuò)大，從而影響盈利水平。

展望 2025 年，HBM 內(nèi)存將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向 12 層堆疊和 HBM3e 產(chǎn)品，推動(dòng)芯片平均單堆棧容量的提升。據(jù)了解，2024 年 HBM 內(nèi)存需求量已增長(zhǎng)近 200%，明年有望再翻一番。