3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導體產業國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發總監邱紹諺受邀出席本次大會，并在會上做主題演講。



邱紹諺博士分享的報告主題為《氮化鎵功率器件：發展和挑戰》，他首先為與會嘉賓介紹了氮化鎵市場格局與應用場景。邱博士認為，GaN材料可廣泛應用于消費電子、車載電子和數據中心，21-27年復合增長率有望達到59%。在技術發展方面，目前GaN功率器件集中在650V及以下，未來將往高擊穿電壓、高功率密度和高集成度方向發展。在器件結構方面，水平式功率氮化鎵器件是當下的主流結構，垂直式功率氮化鎵器件將有巨大發展潛力。

京東方華燦光電氮化鎵電力電子堅持水平式和垂直式功率氮化鎵器件并進的研發路線，產品將逐步從650V向900V，再到1200V的路徑發展，并會規劃低壓產品以擴充產品線，預計24年底面向終端推廣。目前，京東方華燦已經有5*6 DFN , 8*8DFN(D-mode），8*8DFN（CASCODE），有望將來應用到多家主流消費終端品牌。其自研的GaN器件擁有出色的熱阻效率，GaN on Sapphire最低可達到0.85℃/W，達到國際一流水準。

展望未來，隨著消費市場對快充需求越來越高、AI及數據中心的發展以及新能源汽車替換的加快，氮化鎵半導體功率市場有望迎來爆發式的增長。京東方華燦光電作為最早一批入局氮化鎵領域的玩家，將和產業鏈上下游伙伴一起，為消費者提供更加優異的氮化鎵器件產品，助力構建美好生活。

審核編輯：劉清