01

2.5GHz 12nm DVFS A72后端實(shí)戰(zhàn)

本培訓(xùn)項(xiàng)目是真實(shí)項(xiàng)目，低功耗hierarchyUPF設(shè)計(jì)，價(jià)格是知名機(jī)構(gòu)的1/3，全網(wǎng)最低價(jià)。DVFS hierarchy低功耗A72后端實(shí)戰(zhàn)內(nèi)容簡(jiǎn)介如下：

1） 根據(jù)低功耗需求，編寫UPF驗(yàn)證UPF

掌握hierarchy UPF文件編寫，掌握Flatten UPF文件編寫。

本項(xiàng)目采用hierarchy UPF方式劃分了7個(gè)power domain、voltage domain，指定power switch cell，其中包括SWITCH TRICKLE、SWITCH HAMMER。掌握低功耗cell的用法，選擇合適的isolation cell、level shifter等低功耗cell。

掌握Power gating，Clock gating設(shè)計(jì)技術(shù)。

掌握Multi-VT設(shè)計(jì)技術(shù)，本項(xiàng)目時(shí)鐘樹都是ULVT，動(dòng)態(tài)功耗小，skew小。

掌握DVFS技術(shù)，ss0p9 2.5GHz、ss0p722.0GHz,，其中sram不支持ss0p63。要做ss0p63的話，給sram vddm單獨(dú)一個(gè)0p7v的電源即可。

掌握multibit cell的用法，本項(xiàng)目CPU里面的mb高達(dá)95%，選擇合適的multibitcell得到超高的CPU利用率。INNOVUS里面一般不做mb的merge和split。所以前后一樣的，一般綜合做multibit的merge split。

2） 根據(jù)top floorplan def進(jìn)行CPU子系統(tǒng)的partition以及pin assignment。

Top的Power stripe的規(guī)劃及其push down。

SpecifyBlackBox，將CPU core鏡像partition。

手動(dòng)manual cut the BlackBox的方法，掌握復(fù)雜的floorplan設(shè)計(jì)方法經(jīng)驗(yàn)。

VerifyPowerDomain，檢查低功耗劃分以及UPF的正確性。

Pin assignment，根據(jù)timing的需求進(jìn)行合理的pin腳排布，并解決congestion問(wèn)題。

掌握Timing budget。

掌握利用Mixplace實(shí)戰(zhàn)CPU的自動(dòng)floorplan，掌握AI的floorplan方法學(xué)。

3） 掌握Fusion compiler DCG，利用fusion compiler來(lái)完成DCG綜合，進(jìn)一步優(yōu)化timing與congestion。

4） 掌握hierarchy ICG的設(shè)計(jì)方法學(xué)，實(shí)戰(zhàn)關(guān)鍵ICG的設(shè)置與否對(duì)timing的重大影響。

5） 掌握Stapling技術(shù)，實(shí)戰(zhàn)power switch cell的布局和特殊走線的方法學(xué)，掌握CPU子系統(tǒng)的powerplan規(guī)劃及實(shí)現(xiàn)，保證CPU子系統(tǒng)和頂層PG的alignment。

6） 掌握CPU子系統(tǒng)和TOP的時(shí)序接口優(yōu)化。掌握TOPisolation cell的placement以及isolationcell input電學(xué)特性檢查。

7） 掌握TOP和CPU子系統(tǒng)的clocktree Balance優(yōu)化處理，common clock path處理。時(shí)鐘樹結(jié)構(gòu)trace和時(shí)鐘樹評(píng)價(jià)。

8） DRC/LVS

CPU子系統(tǒng)的DRC/LVS檢查

TOP系統(tǒng)的DRC/LVS檢查

Hierarchy & Flatten LVS檢查原理及實(shí)現(xiàn)方法

9） 靜態(tài)時(shí)序分析&IR-Drop

DMSA flow

根據(jù)Foundry的SOD（signoff doc）的Timing signoff標(biāo)準(zhǔn)建立PT環(huán)境。

Star RC寄生抽取及相關(guān)項(xiàng)檢查

Timing exception分析，包括set_false_path、set_multicyle_path解析。

PT timing signoff的Hierarchical和Flatten Timing檢查

PT和PR timing的差異分析、Dummy insertion和with dummy的Timing分析

IR-Drop分析

Stampling打起來(lái)真是高級(jí)手工藝術(shù)，全網(wǎng)唯一：

Flow：PartitionFlow

時(shí)鐘結(jié)構(gòu)分析：

復(fù)位結(jié)構(gòu)分析：

12nm 2.5GHz的A72實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練營(yíng)需要特別設(shè)置Latency，TOP結(jié)構(gòu)如下，參加過(guò)景芯SoC全流程訓(xùn)練營(yíng)的同學(xué)都知道CRG部分我們會(huì)手動(dòng)例化ICG來(lái)控制時(shí)鐘，具體實(shí)現(xiàn)參見40nm景芯SoC全流程訓(xùn)練項(xiàng)目，本文介紹下12nm 2.5GHz的A72實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練營(yíng)的Latency背景，歡迎加入實(shí)戰(zhàn)。

時(shí)鐘傳播延遲Latency，通常也被稱為插入延遲（insertion delay）。它可以分為兩個(gè)部分，時(shí)鐘源插入延遲（source latency）和時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)延遲（Network latency)。

大部分訓(xùn)練營(yíng)同學(xué)表示平時(shí)都直接將Latency設(shè)置為0了，那latency值有什么用呢？其實(shí)這相當(dāng)于一個(gè)target值，CTS的engine會(huì)根據(jù)你設(shè)置的latency值來(lái)插入buffer來(lái)實(shí)現(xiàn)你的latency target值。

下圖分為1st Level ICG和2nd Level ICG，請(qǐng)問(wèn)這些ICG為什么要分為兩層？

請(qǐng)問(wèn)，為什么不全部把Latency設(shè)置為0？2nd Level ICG的latency應(yīng)該設(shè)置為多少呢？

latency大小直接影響clock skew的計(jì)算。時(shí)鐘樹是以平衡為目的，假設(shè)對(duì)一個(gè)root和sink設(shè)置了400ps的latency值，那么對(duì)另外的sink而言，就算沒(méi)有給定latency值，CTS為了得到較小的skew，也會(huì)將另外的sink做成400ps的latency。請(qǐng)問(wèn)，為何要做短時(shí)鐘樹？因?yàn)檫^(guò)大的latency值會(huì)受到OCV和PVT等因素的影響較大，并有time derate的存在。

分享個(gè)例子，比如，Cortex-A72低功耗設(shè)計(jì)，DBG domain的isolation為何用VDDS_maia_noncpu供電而不是TOP的VDD？

答：因?yàn)閐bg的上一級(jí)是noncpu，noncpu下面分成dbg和兩個(gè)tbnk。

再分享個(gè)例子，比如，Cortex-A72低功耗設(shè)計(jì)，這個(gè)switch cell是雙開關(guān)嗎？答：不是，之所以分trickle和hammer，是為了解決hash current大電流，先開trickle，然后再開hammer。

再分享個(gè)例子，比如，Cortex-A72進(jìn)階版本課程的低功耗例子：請(qǐng)問(wèn)，如果iso cell輸出都要放parent，輸入放self，那么下面-applies_to_outputs對(duì)應(yīng)的-location為何是self?

答：這個(gè)需要了解CPU的內(nèi)部設(shè)計(jì)架構(gòu)，tbnk掉電 VDDS_maia_noncpu也必然掉電，pst如下，所以-applies_to_outputs對(duì)應(yīng)的-location是可以的，那么注意下debug domain呢？

實(shí)際上，沒(méi)有tbnk到debug domain的信號(hào)，因此腳本如下：

再分享個(gè)例子，比如，Cortex-A72進(jìn)階版本課程的低功耗例子：為何non_cpu的SRAM的VDD VDDM都接的可關(guān)閉電源？SRAM的VDD VDDM分別是常開、和retention電源吧？

答：本來(lái)是VDDM作為retention電源設(shè)計(jì)的，VDD關(guān)掉后 VDDM可以供電作為retention使用，但是此處沒(méi)有去做memory的雙電源，sram當(dāng)成單電源使用，不然sram無(wú)法徹底斷電。

再分享個(gè)例子，比如，Cortex-A72基礎(chǔ)版課程有學(xué)員的Cortex-A72 maia_cpu LVS通過(guò),但是MAIA頂層LVS比對(duì)不過(guò)，我們來(lái)定位一下。

以FE_OFN4326_cfgend_cpu1_o為例，點(diǎn)擊下圖FE_OFN4326_cfgend_cpu1_o：

找到calibredrv錯(cuò)誤坐標(biāo)：（1949,139）

對(duì)應(yīng)到innovus去看坐標(biāo)：（1949,139）

看到maia_cpu的pin腳過(guò)于密集，造成頂層連接pin腳時(shí)候會(huì)無(wú)法繞線，從而導(dǎo)致innovus從maia_cpu上面走線，形成short。盡管maia_cpu帶了blockage，但是invs沒(méi)有足夠的連接pin的routing resource，也就只能在maia_cpu上面去try了。

修改辦法很簡(jiǎn)單，具體操作option參見知識(shí)星球。

保存db，重新LVS，比對(duì)通過(guò)。

02

28nm Cortex-A7后端實(shí)戰(zhàn)

此外，我們提供全網(wǎng)最低價(jià)的28nm A7后端設(shè)計(jì)，價(jià)格驚喜！打垮動(dòng)輒1.5w-2.5w的后端培訓(xùn)價(jià)格！

我們?cè)賮?lái)對(duì)比下A72與A7的資源。A72Gate數(shù)目是A7的13倍！如果都采用28nm制程，A72的面積應(yīng)該是1180790um^2，實(shí)際A72采用12nm制程面積是486100um^2，1180790/486100=2.4，符合摩爾定律。

Cortex-A7單核：

Gates=240291Cells=118421

Cortex-A72單核：

Gates=3125649Cells=1207766

28nmCortex-A7單核：

Area=90830.1um^2

12nmCortex-A72單核：

Area=486100.9um^2

28nm A7后端設(shè)計(jì)課程采用的全國(guó)最低價(jià)格來(lái)推廣，本文不做過(guò)多介紹，本文重點(diǎn)介紹下先進(jìn)的12nm A72進(jìn)階版本課程。

03

12nm Cortex-A72—DFT實(shí)戰(zhàn)

開發(fā)完成，全國(guó)最低價(jià)！

04

景芯SoC—全芯片UPF后端實(shí)戰(zhàn)

景芯SoC培訓(xùn)的全芯片UPF低功耗設(shè)計(jì)(含DFT設(shè)計(jì))

景芯SoC訓(xùn)練營(yíng)培訓(xùn)項(xiàng)目，低功耗設(shè)計(jì)前，功耗為27.9mW。

低功耗設(shè)計(jì)后，功耗為0.285mW，功耗降低98.9%！

7天沖刺PR訓(xùn)練營(yíng)有同學(xué)問(wèn)如何給IO添加PAD？請(qǐng)思考景芯SoC的IO和PAD如何實(shí)現(xiàn)最佳？

7天沖刺PR訓(xùn)練營(yíng)有同學(xué)問(wèn)，同樣的floorplan，有些同學(xué)很快跑完，有些同學(xué)則遇到大量DRC問(wèn)題（EDA工具不停iteration）導(dǎo)致工具始終無(wú)法跑完，具體什么問(wèn)題呢？

首先，小編發(fā)現(xiàn)該同學(xué)的stripe把TM2定義為了horizontal，而熟悉景芯工藝的同學(xué)知道，TM2的preference direction是VERTICAL。

查詢景芯的lef庫(kù)文件也可以確認(rèn)：

用錯(cuò)方向有多大影響呢？大家上景芯SoC的后端flow實(shí)踐一下吧，實(shí)踐出真知。

7天沖刺PR訓(xùn)練營(yíng)有同學(xué)問(wèn)，為啥PR花了一天一夜24個(gè)小時(shí)完成布線還大量DRC錯(cuò)誤？小編已經(jīng)將設(shè)計(jì)規(guī)模盡可能減小以加速PR設(shè)計(jì)，實(shí)際上2小時(shí)就可以跑完routing，為何這么慢？原因就是低功耗單元的走線。具體原因及解決辦法歡迎加入景芯訓(xùn)練營(yíng)討論。

其錯(cuò)誤主要集中在M4上，請(qǐng)思考如何解決。

7天沖刺PR訓(xùn)練營(yíng)有同學(xué)問(wèn)，power switch cell的secondPG pin(VDDG)從M1接出的，而不是M2, 請(qǐng)思考有什么問(wèn)題？如何解決？

7天沖刺PR訓(xùn)練營(yíng)有同學(xué)問(wèn)，景芯SoC培訓(xùn)營(yíng)同學(xué)遇到Corner Pad LVS不過(guò)怎么處理？

完成景芯SoC培訓(xùn)的前端設(shè)計(jì)仿真、DFT后，我們來(lái)到后端flow，本教程教你一鍵式跑完數(shù)字后端flow。

生成腳本命令如下：

tclsh ./SCRIPTS/gen_flow.tcl -m flat all

生成flow腳本之前需要配置setup.tcl等相關(guān)參數(shù)，具體參見【全網(wǎng)唯一】【全棧芯片工程師】提供自研的景芯SoC前端工程、DFT工程、后端工程，帶你從算法、前端、DFT到后端全流程參與SoC項(xiàng)目設(shè)計(jì)。

景芯SoC訓(xùn)練營(yíng)的同學(xué)問(wèn)，為何innovus讀取做好的floorplandef文件報(bào)Error?首先看log:

Reading floorplan file - ./data_in/DIGITAL_TOP.def (mem = 1595.0M).

#% Begin Load floorplan data ... (date=10/23 2201, mem=1579.3M)

**ERROR: (IMPFP-710): File version unknown is too old.

以前EDI的時(shí)期，我們可以通過(guò)定義fp_file的方式來(lái)加載floorplan：

set vars(fp_file) "./data_in/DIGITAL_TOP.def"

但是現(xiàn)在innovus升級(jí)并放棄了fp_file的加載方式，當(dāng)然也可以用老版本的EDI9.1及以前版本來(lái)加入fp_file，然后轉(zhuǎn)存為新版本，這方式明顯沒(méi)有必要。正如下log提示所說(shuō)，檢查log是非常好的工程師習(xí)慣。

Input floorplan file is too old and is not supported in EDI 10.1 and newer.

You can use EDI 9.1 and before to read it in, then save again to create new version.

小編的直覺告訴我，先去看看同學(xué)保存的def文件是哪個(gè)def版本?

同學(xué)保存方式如下：

那么請(qǐng)問(wèn)如何解決？請(qǐng)大家加入景芯訓(xùn)練營(yíng)實(shí)踐。

景芯SoC用了很多異步FIFO，關(guān)注異步RTL實(shí)現(xiàn)的同學(xué)，可以抓取異步FIFO出來(lái)看一下版圖連線：

查看下所有異步FIFO cell的面積；

dbget [dbget top.insts.pstatus unplaced -p].area

查下所有異步FIFO的cell的名字：

dbget [dbget top.insts.pstatus unplaced -p].name

審核編輯：黃飛