導語：近日，深圳芯能半導體技術有限公司（下文簡稱：芯能半導體）宣布已獲得一項有關IGBT芯片的重大專利——“一種帶有ESD結構的IGBT芯片及制作方法”，這一專利的頒布不僅保障了產品安全性，還提高了芯片工作效率。

此次專利的申請日期為2023年8月22日，授權公示日為2024年3月26日，授權公告號為CN116779666B。此項專利主要涉及的新型IGBT芯片結構，其特征在于采用自上而下的頂層金屬層、ESD結構、多晶硅層等多種組件相互配合，實現穩定的電路運行。

發明的核心亮點是將多晶硅層頂部水平設置一層水平多晶硅，在該層上還橫向安放NPN結構，進一步構建出ESD防護結構。利用這種方法，將多晶硅層和接觸孔通過ESD結構連接起來，確保柵極和發射極能得到有效保護。

值得注意的是，接觸孔采用的是與發射極所在的N+區域相連接的方式，使柵極多晶硅與發射極之間得以基于ESD結構形成并聯關系，從而顯著提升了產品性能和安全保障。

該項發明為行業內IGBT芯片研發和生產帶來了新的思路和發展方向，降低了制造門檻并確保了產品質量。未來，芯能半導體將會繼續投入更多科研力量，推動晶體管領域的技術進步和市場拓展。