2024年3月17日至18日，集成電路科學技術大會2024（CSTIC 2024）在上海國際會議中心舉辦。CSTIC由SEMI和IEEE-EDS聯合主辦，是中國規模最大、最全面的年度半導體技術會議。西安紫光國芯半導體股份有限公司副總裁左豐國在會上發表了《用SeDRAM技術在芯片級突破存儲墻》的精彩演講，重點介紹了堆疊嵌入式DRAM技術以及公司利用該技術在AI時代突破“存儲墻”問題的芯片級解決方案。

隨著AI技術的迅猛發展，特別是在大模型進入應用落地的近幾年，行業對于算力芯片性能提升的需求急劇攀升。從系統的角度，西安紫光國芯也看到，算力芯片搭配的存儲系統已成為制約其性能發揮的關鍵瓶頸，可以說，AI時代的“存儲墻”問題愈發凸顯。

SeDRAM技術可提供芯片內每秒數十TB的內存訪問帶寬

西安紫光國芯堆疊嵌入式DRAM技術（SeDRAM）可為算力芯片提供每秒數十TB的內存訪問帶寬，同時容量最高可達數十GB。SeDRAM技術是利用異質集成（Hybrid Bonding）工藝將DRAM存儲陣列晶圓和邏輯晶圓做3D堆疊，實現金屬層直接互連，相比傳統HBM或DDR內存方案去掉了PHY-PHY互連結構，從而實現兩者之間的超大帶寬、超低功耗和低延遲的數據互連。

左豐國表示：“西安紫光國芯從2013年開始開發堆疊嵌入式DRAM技術，2019年公司SeDRAM技術產品化研發成功，我們一直在這項技術上進行持續的技術創新和投入。公司看重的，正是這項技術在AI和大算力時代解決存儲墻問題的巨大潛力。我們也很高興地看到，SeDRAM技術已經被用在了一些極致高性能算力芯片的設計中。” 西安紫光國芯SeDRAM技術處于行業領先水平。過去幾年，數十款搭載西安紫光國芯SeDRAM技術的芯片產品已完成研發或實現量產出貨，其應用落地案例數量在行業內遙遙領先。值得一提的是，目前最新的第三代SeDRAM技術可提供每秒數十TB的訪存帶寬和數十GB的內存容量，是專門為AI、HPC等應用場景設計打造的高性能存儲方案。

SeDRAM技術的應用前景和優勢

在演講及提問環節，西安紫光國芯SeDRAM技術方案的應用前景和優勢引起了與會嘉賓的極大興趣和熱烈反響。

應用SeDRAM技術方案的芯片在設計上完全兼容經典的芯片開發流程。在邏輯芯片的開發過程中，SeDRAM相關的IP組件作為常規的IP模塊被設計集成，產品芯片開發人員完全可以按照典型的芯片開發流程完成所有的設計工作。我們也看到，SeDRAM技術方案正在越來越容易、越來越靈活的被集成到各類不同的芯片設計中。此外，憑借多年來在數十個3D芯片上成功的工程實踐經驗，西安紫光國芯能夠最大程度地幫助客戶快速實現設計收斂，控制產品研發風險。

此次CSTIC 2024大會的成功舉辦，不僅為業內企業提供了一個交流合作的平臺，也展示了中國在半導體技術領域的強大實力和創新能力。未來，西安紫光國芯將繼續堅持技術創新，在保持SeDRAM技術業界領先水平的同時，結合更多的產品應用落地實踐經驗，為廣大用戶提供更優的高性能大帶寬DRAM內存解決方案。

審核編輯：劉清