真我GT Neo6 SE配備第三代高通驍龍7+ Gen 3處理器
3 月 15 日，realme 宣布真我 GT Neo6 SE 新型手機將會裝備第三代高通驍龍 7+（即驍龍 7+ Gen 3）處理器。據(jù)悉，這是款與第三代高通驍龍 8 同等工藝架構(gòu)的芯片，預(yù)計將帶給用戶出色的高性能低功耗體驗。
而早前，博主 @數(shù)碼閑聊站 透露此款新手機裝有 SM7675 處理器（疑似為驍龍 7+ Gen 3）。他指出配有 5500mAh 大容量電池＋1.5K 屏幕，并使用了許多高端手機未見的 LTPO 技術(shù)，續(xù)航方面可謂力壓群雄。此外，他還在之前的爆料中確認真實我 GT Neo6 SE 一系列產(chǎn)品將搭配百瓦超大電池，定價有望回歸到千元水平。
根據(jù)進一步了解，根據(jù)關(guān)于驍龍 7+ Gen 3 的數(shù)據(jù)爆料：
大核：1*2.9GHz Cortex-X4
中核：4*2.6GHz Cortex-A720
小核：3*1.9GHz Cortex-A520
需要說明的是，相較而言，realme 在去年四月份推出的真我 GT Neo5 SE 手機已配備驍龍 7+ Gen 2 處理器以及 5500mAh+100W 快充組合，擁有一塊 6.74 寸 2772×1240 分辨率的 OLED 屏幕。價格從 1999 元起售。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20259瀏覽量
252544 -
電池
+關(guān)注
關(guān)注
85文章
11538瀏覽量
143537 -
realme
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
503瀏覽量
15474
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
真我Neo7 Turbo搭載天璣9400e處理器
新發(fā)布的真我 Neo7 Turbo 搭載天璣 9400e 旗艦芯，該芯片采用高能效的臺積電第三代 4nm 制程，搭載強勁的全大核 CPU 架構(gòu)，全面釋放性能潛力，助你輕松應(yīng)對多任務(wù)挑戰(zhàn)，無論日常操作
小米玄戒O1、聯(lián)發(fā)科天璣9400e與高通驍龍8s Gen4的全面對比分析
小米玄戒O1、聯(lián)發(fā)科天璣9400e與高通驍龍8s Gen4全面對比分析 一、技術(shù)架構(gòu)與工藝制程 維度 小米玄戒O1 聯(lián)發(fā)科天璣9400e 高
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
恩智浦推出第三代成像雷達處理器S32R47系列
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達處理器，進一步鞏固公司在成像雷達領(lǐng)域的專業(yè)實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達兩
真我Neo7 SE搭載MediaTek天璣8400-MAX
Arm Mali-G720 GPU，以全速性能爆發(fā)，輕松 “駕馭” 重載游戲。此外，在 MediaTek 星速引擎、 GT 性能引擎和大氣流冷鋒散熱系統(tǒng)等強悍配置的加持下，真我 Neo7 S
高通全新一代驍龍G系列產(chǎn)品組合，全面提升手持游戲設(shè)備體驗
。 ??本季度開始，AYANEO、壹號方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新驍龍G系列平臺的手持游戲設(shè)備。 今日，高通技術(shù)公司宣布推出其2025年的全新驍
工商網(wǎng)監(jiān)
評論