半導體p-n結二極管是構建光電器件的基本單元之一。然而，傳統p-n結二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調控性受到影響，限制了器件的功能和應用，因此需要對其進行重新配置。

為了克服這一挑戰，研究人員報告了一種簡便的方法，利用GaN基半導體p-n同質結納米線陣列構建了雙極結光電極，展示了由不同光波長控制的雙極光響應。通過理論模擬引導，在純凈納米線的基礎上修飾釕氧化物（RuOx）層，所得光電極的正光電流和負光電流分別提高了775%和3000%。釕氧化物層優化了納米線表面的勢壘彎曲，有助于促進GaN/電解質界面的電荷轉移，同時提高了氫氣和氧氣的還原氧化反應效率，從而同時優化正負光電流。最后，他們構建了一個雙通道光通信系統，利用僅需一個光電極即可解碼具有加密屬性的雙波段信號。提出的雙極性器件架構為操縱載流子動態、開發未來傳感、通信和成像系統中的多功能光電子設備提供了可行途徑。

該成果發表以“Light-Induced Bipolar Photoresponse with Amplified Photocurrents in an Electrolyte-Assisted Bipolar p–n Junction”為題，以“Frontispiece”封面插圖形式發表于Advanced Materials （Advanced Materials 2023,35, 2300911）。中國科學技術大學方師博士為論文的第一作者，孫海定教授為論文的通訊作者。該工作得到了國家自然科學基金、中央高校基本科研業務費專項資金、中國科學院國際項目等多個項目的支持。

圖1 雙極光響應的工作原理

圖2 器件雙極光響應的表征

圖3 雙通道加密光通信應用演示

第一作者簡介：方師博士畢業于中國科學技術大學，主要研究領域為半導體材料與光電子器件。以第一作者在Nature Communications、Advanced Materials、Light: Science & Applications、Advanced Functional Materials、Nano Letters等期刊發表多篇論文并獲得中國科學院院長獎。

審核編輯：劉清