問題:在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶?duì)地短路期間,如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動(dòng)重試?
答案:升壓拓?fù)洌ㄉ龎旱降睾蜕龎旱诫姵兀┚哂袕碾姵氐捷敵龅闹苯勇窂健T谳敵鰧?duì)地短路的情況下,TLD6098-1EP和TLD6098-2ES會(huì)連續(xù)重試軟啟動(dòng)程序,以檢測(cè)是否仍然存在短路。
連續(xù)重試會(huì)多次打開/關(guān)閉PMOS,這可能會(huì)損壞PMOS本身(功耗過高)。
為了避免損壞PMOS,一旦VOUT對(duì)地短路,可以拉低DC/PWMI引腳。
為此,可以使用帶有二極管D2和限流電阻器RLIM的網(wǎng)絡(luò),如下圖所示:

如果PWMI引腳上仍然存在尖峰,則可以實(shí)施一種較復(fù)雜的解決方案,即使用2個(gè)小信號(hào)MOSFET來檢測(cè)短路并相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)PWMI(參見下圖)。買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城!

當(dāng)輸出對(duì)地短路時(shí),上述附加電路通過禁用控制器來工作。為了讓傳感網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)偏置,需要將適當(dāng)?shù)腞LIM與PMOS并聯(lián)。當(dāng)DC-PWMI較低時(shí),該電阻器的值高于47kOhm,以保持進(jìn)入LED的電流最小。
審核編輯 黃宇
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