PN8604SE-A1

PN8604SE-B1

01

漏極檢測及芯片供電耐壓高

漏極檢測腳耐壓高于220V，支持輸出電壓58V以上應用。

VDD耐壓高于35V，輸出電壓28V以內，無需額外的輔助繞組供電電路，簡化了變壓器設計，節省成本。

02

雙重措施防止誤開通

芯片采用雙路驅動互鎖技術避免兩路驅動共通損壞系統。

系統起機階段，芯片內部柵極驅動電路下拉能力強，避免干擾引起的誤開通。

03

電流跟蹤技術支持500kHz工作

芯片會根據功率MOS電流ISD自適應調整驅動電壓VGS，可在CCM下更快關斷功率MOS，降低電壓應力，支持500kHz高頻化工作。

04

滿足工業級JEDEC可靠性標準

通過工業級JEDEC可靠性標準測試，包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11個測試項目。

1?為提高系統ESD能力，芯片供電VDD腳外接RC濾波：R1推薦10Ω，C1推薦1uF。

2?建議參照下面的規則來設計PCB：

①芯片VD/VS/VG腳要靠近對應的MOSFET的漏極、源極和柵極，不與功率走線重疊；

②芯片兩個VD/VS檢測通道相互分離，檢測回路盡可能小；

③MOSFET布局和布線盡量對稱，避免PN8604置于功率回路內部。