圣邦微電子推出 SGM33685 系列 Sub-1G 射頻功率放大器（RFPA）。

芯片采用先進(jìn)的 InGaP/GaAs HBT 制程，具有高線性、高效率及高穩(wěn)定性等特點(diǎn)；支持多種 Sub-1G 協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)和平臺(tái)方案，包括 LoRa、Sigfox、Wi-Fi HaLow、Wi-SUN、CAT-M、Walkie-Talkie、FM、GSM、E-GSM 以及其它各類頻率在 1GHz 以內(nèi)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。SGM33685 采用符合環(huán)保理念的 TQFN-3×3-16L 綠色封裝。

圖 1 SGM33685A 典型應(yīng)用電路圖

SGM33685 典型特性

SG Micro Corp

SGM33685 系列產(chǎn)品典型特性參數(shù)請見表 1。

表 1 SGM33685A/B/C 典型特性

SGM33685 溫度特性

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1.在 -40℃ 至 +105℃ 溫度范圍內(nèi)，SGM33685 產(chǎn)品系列輸出功率穩(wěn)定，在額定輸出功率范圍內(nèi)增益平坦，滿足各種嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用。

圖 2 SGM33685A 增益（Gain）曲線

圖 3 SGM33685B 增益（Gain）曲線

圖 4 SGM33685C 增益（Gain）曲線

2.SGM33685 產(chǎn)品系列具有良好線性輸出能力，在未加外置帶通濾波器的情況下，鄰信道泄漏比（ACLR）也能夠滿足 3GPP 標(biāo)準(zhǔn)。

圖 5 SGM33685A 鄰信道泄漏比（ACLR）曲線

圖 6 SGM33685B 鄰信道泄漏比（ACLR）曲線

圖 7 SGM33685C 鄰信道泄漏比（ACLR）曲線

3.SGM33685 兼具高效率、高線性度及低功耗等特點(diǎn)。低功耗應(yīng)用場景對射頻功率放大器的電流消耗尤為關(guān)注。例如各類電池供電的 IoT 終端模組，要求在額定輸出功率下，既要有良好的帶外抑制能力，又要足夠低的功耗，以延長電池使用壽命。SGM33685 產(chǎn)品系列正是針對這類應(yīng)用需求而開發(fā)。

圖 8 SGM33685A 功耗（ICC）曲線

圖 9 SGM33685B 功耗（ICC）曲線

圖 10 SGM33685C 功耗（ICC）曲線

SGM33685 應(yīng)用場景

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SGM33685A/B/C 適用于多種調(diào)制方式（BPSK、QPSK、16-QAM、64-QAM 等），支持多種帶寬需求（1MHz、2MHz、4MHz 及 8MHz 四種帶寬）。在 26dBm 輸出功率下，傳輸距離達(dá)到 5km，并且滿足高速率傳輸要求，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離圖傳。同時(shí)，功耗低至 400mA 左右，滿足戶外設(shè)備低功耗需求。

圖 11 SGM33685 應(yīng)用示意圖

審核編輯：劉清