據存儲網絡行業協會（SNIA）專家預測，21世紀20年代末將迎來持久內存（PMEM）革命，暗示新技術或將超越DRAM等傳統存儲技術。

IT之家指出，作為內存與外部存儲器結合體的持久內存，其高速持久化特性在解決磁盤IO性能問題中顯露出更強的潛力。

SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研發的鉿鐵電隨機存取內存，盡管已達到現代DRAM速度，但目前尚不知曉何種新興內存技術會脫穎而出，從而取代DRAM在PC和服務器中的地位。

鐵電隨機存取內存憑借其快速寫入周期的優勢，吸引了眾多關注。此外，競爭者還包括MRAM、FERAM以及ReRAM等新興存儲技術。

專家認為，MRAM與其他競爭者相比有顯著優勢，在不久將來讀取速度有望趕超DRAM。冷離子自旋閥（STT-RAM）、自旋軌道力矩（spintronics）和電壓調控磁各向異性磁隨機存儲器（VCMRRAM）等新技術亦在不斷縮短MRAM的寫入延遲，使其成為潛在替代DRAM的領先方案之一。

其中，MRAM為磁阻式隨機存取內存，其讀取速度接近SRAM，非揮發性堪比快閃存儲器，而容量密度和使用壽命不遜于DRAM，單位能耗遠低于DRAM，被譽為真正的通用型內存。

FeRAM鐵電隨機存取內存則相較SDRAM更進一步，展示出具有非揮發性內存的潛能。

至于ReRAM可變電阻式存儲器，作為新型非易失性存儲器的代表，正同磁阻式隨機存取存儲器一道引領新世代存儲革命的到來。