1 月 25 日，英特爾宣布成功實現基于先進半導體封裝技術的規模化生產，其中亮點包括突破性的 3D 封裝技術 Foveros。此次技術成果由美國新墨西哥州升級完善后的 Fab 9 產線實現。英特爾公司執行副總裁兼首席全球運營官 Keyvan Esfarjani 對此感到自豪：“尖端封裝技術使英特爾在芯片產品性能、大小與設計應用靈活度上獨具競爭力。”

當前，由于整個半導體產業步入將多個‘芯粒’（Chiplets）整合于單一封裝的新世代，芬柯斯（Foveros）與 EMIB（嵌入式多芯片互聯橋接）等英特爾先進封裝技術應運而生。它們不僅能在單個包裝內集成十萬億個晶體管，到 2030 年代還將持續推動摩爾定律前進。

英特爾運用 Foveros 的 3D 封裝技術，實現了計算單元以垂直方式而非水平進行堆積的制造工藝。同時，它為英特爾及其代工廠合作伙伴提供了整合各類計算芯片、優化成本及能源效率的可能性。

按照該公司計劃，預計至 2025 年底，3D Foveros 封裝產能將提升四倍。