佰維存儲推出CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊，首顆支持CXL2.0規(guī)范
1月22日，佰維存儲公布最新技術研發(fā)成果。其中包括，旗下產(chǎn)品已支持CXL2.0規(guī)格的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊，可提升AI高性能計算體驗；此外，首款自主研發(fā)Modem芯片正處于量產(chǎn)籌備階段。在封裝技術領域，公司已經(jīng)掌握16層疊Die、30至40微米超薄Die以及多芯片異構(gòu)集成等先進工藝，以支持NAND Flash、DRAM芯片及SiP封裝的大規(guī)模生產(chǎn)。
佰維存儲計劃通過定向增發(fā)募集資金擬建晶圓級先進封測項目，該項目將有助于構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術基礎。通過這項工程，公司將建立晶圓級封測產(chǎn)能，具備存儲器及邏輯IC封測能力，以此更好地抓住大灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)機遇，并探索存儲IC與計算IC整合封裝的可能性。
在智能穿戴產(chǎn)品方面，佰維存儲已成為Meta最新款AI智能眼鏡Ray-Ban Meta存儲器芯片供應商之一，同時也被Google、小天才等知名品牌納入其智能穿戴設備供應鏈。
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