大家在GD32 MCU應用時，是否會碰到以下應用需求：希望在MCU掉電時保存一定的數據或標志，用以記錄一些關鍵的數據。

以GD32E103為例，數據的存儲介質可以選擇內部Flash或者備份數據寄存器。

如下圖所示，片內Flash具有10年的保存壽命，10萬次擦寫，頁擦除時間在3.5ms，字寫入時間在40us左右，Flash特性決定Flash需要先擦后寫，擦寫要求的電壓范圍為供電范圍：1.8V-3.6V.

GD32 MCU基本都支持備份數據寄存器，GD32E103系列支持84字節數據寄存器，可以在VDD掉電，VBAT有電的情況下進行數據保存，備份數據寄存器不需要擦除可以直接寫入，數據更新速度較快。

下面為大家介紹數據掉電保存的實現，電源掉電的檢測可以選擇使用LVD低壓檢測功能，如下圖所示，LVD 的功能是檢測 VDD / VDDA 供電電壓是否低于低電壓檢測閾值，該閾值由電源控制寄存器（PMU_CTL） 中的 LVDT[2:0]位進行配置。 LVD 通過 LVDEN 置位使能，位于電源控制和狀態寄存器（PMU_CS） 中的 LVDF 位表示低電壓事件是否出現，該事件連接至 EXTI 的第 16 線，用戶可以通過配置 EXTI 的第 16 線產生相應的中斷。

使用LVD檢測到掉電事件后，從LVD閾值到PDR電壓之間會有一個時間窗口，可用以實現掉電數據保存，這個時間由掉電速度決定，因而對數據保存的時間要求很高。若系統供電只有VDD供電，VBAT外部未接電池或者需要保存的數據比較多的情況下，可以選擇使用內部Flash作為存儲介質，為了節省數據更新的時間，可以采用雙備份的方式，在系統運行的過程中，先擦除一個備份，檢測到掉電事件后，節省擦除時間，直接向備份區域寫入更新數據；若系統供電VBAT外接了電池，且更新的數據小于84字節，可以選擇將數據寫入備份數據寄存器，其更新速度更快。另外如果評估下來掉電時間過快來不及更新數據的話，可以從硬件上減緩掉電速度，以預留更長的時間窗口。

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