有源晶振用于產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。其內(nèi)部有獨(dú)立的起振芯片，不受外部電路影響。選型時(shí)需要考慮一些關(guān)鍵參數(shù)，以確保器件在特定應(yīng)用中能夠滿足性能需求。以下是一些常見的有源晶振選型參數(shù)。

1. 初步篩選型號(hào)??

KOAN晶振產(chǎn)品中心頁面中，可先根據(jù)“封裝尺寸”“波形”進(jìn)行初步型號(hào)篩選。

封裝尺寸

晶振有貼片型SMD，直插型DIP兩種封裝。高頻率的振蕩器需要更小的尺寸，低頻率的振蕩器可能需要更大的尺寸。

波形

晶振輸出波形可分為方波和正弦波;也可以分為單端輸出和差分輸出。在選擇合適的波形時(shí)，凱擎小妹建議您結(jié)合波形特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，權(quán)衡利弊后再選擇。

2.鎖定型號(hào)??????

假設(shè)我需要一個(gè)7050尺寸，CMOS輸出的20MHz晶振。根據(jù)應(yīng)用和需求，選擇晶振類型：普通KS，擴(kuò)頻KM，低相噪KJ。

頻率

晶振的頻率是指晶振振蕩產(chǎn)生的周期性信號(hào)的頻率，通常以赫茲Hz為單位表示。晶振的頻率大小取決于晶片厚度和晶片尺寸。晶片越薄，振蕩頻率就越高。

擴(kuò)頻晶振???

高速頻率源是電子電路中電磁干擾的主要來源。為降低高速數(shù)字系統(tǒng)帶來的電磁干擾，可使用消除電磁波干擾晶振，也稱擴(kuò)頻晶振，展頻晶振。

低相噪晶振???

晶振的短期頻率穩(wěn)定度由噪聲引起導(dǎo)致的頻率不穩(wěn)定。低噪聲KOAN晶振在精密電子儀器，無線電定位，高速目標(biāo)跟蹤和宇航通信等領(lǐng)域十分重要。

3. 必選參數(shù)

點(diǎn)擊KJ70參數(shù)選擇頁面，會(huì)出現(xiàn)必選參數(shù)：工作電壓，溫度穩(wěn)定性。

電壓

這是晶振能夠正常工作的電壓范圍。在這個(gè)范圍內(nèi)，晶振應(yīng)該能夠提供穩(wěn)定的振蕩信號(hào)。超出這個(gè)范圍，振蕩器的頻率穩(wěn)定度會(huì)受到電源電壓變動(dòng)和負(fù)載變動(dòng)的影響，甚至可能無法正常工作。

溫度穩(wěn)定性 ppm/°C

晶振頻率溫度穩(wěn)定度是指晶振在不同溫度下能夠維持相對(duì)恒定的頻率。這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)。頻率溫度穩(wěn)定度通常以百萬分之幾(ppm/℃)為單位。

較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對(duì)于一些對(duì)頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測(cè)量等，這是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。

4. 其它參數(shù) 以確保滿足特定應(yīng)用的要求，以下參數(shù)也需要考慮：

長(zhǎng)期穩(wěn)定度：老化

在所有其它條件都恒定不變的情況下，晶振的頻率仍會(huì)隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長(zhǎng)期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示，即晶振僅僅隨時(shí)間流逝而引起的頻率變化量。

頻率-負(fù)載/電源穩(wěn)定度

在其它條件均保持不變，負(fù)載阻抗/供電電源在規(guī)定范圍內(nèi)(+/-5%)變化引起的晶振頻率變化的最大值。

起振時(shí)間????????

第一次振蕩的啟動(dòng)時(shí)間主要由晶體的諧振電阻與負(fù)性阻抗共同決定，同頻率晶體的體積越小，諧振電阻就越大，負(fù)載電容相應(yīng)變小;而負(fù)性阻抗大小由振蕩 IC 和負(fù)載電容CL決定，負(fù)載電容與負(fù)性阻抗大小成反比。

工作電流????

在指定電壓下進(jìn)入振蕩器的電流。工作電流越大，帶載能力強(qiáng);反之越小，功耗越低。在一些對(duì)功耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中，電流消耗是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。

KOAN晶振

我們的質(zhì)量方針是精益求精、追求卓越、制造非凡、顧客滿意。產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)追求行業(yè)最高水準(zhǔn)。公司追求精細(xì)化質(zhì)量管理，以滿足客戶對(duì)高端產(chǎn)品需求。

審核編輯：湯梓紅