通過化學鍍鎳沉積增強納米多孔硅光電陰極的光電化學性能

可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學行為。這些方法包括將Ni涂層應用于NPSi，這是一個旨在增強催化活性、光吸收和載流子傳輸的過程。掃描電子

使用顯微鏡分析了由于Ni涂層引起的NPSi表面的形態變化。結果表明，Ni涂層在NPSi表面形成了獨特的結構，在15分鐘的涂層時間和60?C.發現這些條件促進電子-空穴對分離和均勻的Ni覆蓋。連續50分鐘的白光照射實驗證實了穩定的PEC波動，顯示了NPSi的特性和Ni的催化效應的相互作用。該研究為高效水分解催化劑的設計提供了實用指導

鹵化物鈣鈦礦是下一代清潔能源收集的有力候選者

光伏技術由于功率轉換效率的空前提高及其低成本、易于制造和卓越的半導體性能。通過了解鈣鈦礦的基礎科學，如結晶動力學和電荷載流子動力學，并從元素周期表中找到各種新的鈣鈦礦組合，已經確定了鈣鈦礦材料的潛力。目前的證據表明，用于沉積鹵化物鈣鈦礦層的合成方法是決定器件效率和穩定性的關鍵因素。在這篇綜述中，我們的目的是研究沉積鈣鈦礦多晶膜和單晶層所遵循的各種合成程序。我們將總結目前對使用這些合成方法影響材料性能的理解和能力，并探索

本文綜述了實現垂直器件技術的III族氮化物均外延生長的一些基本問題。重點介紹了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長GaN，并探討了天然襯底特性對材料的影響

質量、接口組成和設備性能。還包括對理解超寬III族氮化物半導體AlN和BN中摻雜劑的理論工作的回顧，以供未來將該技術擴展到這些材料中。

關鍵詞：光電化學，納米多孔，化學鍍鎳沉積，鈣鈦礦薄膜，鈣鈦礦單晶合成方法，氮化鎵，AlN，同質外延，MOCVD，二極管，金屬有機化學氣相沉積，垂直器件

審核編輯 黃宇