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Fujitsu FRAM 在汽車電子上的應(yīng)用案例

Ousemi ? 2024-01-02 15:46 ? 次閱讀
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汽車電子上要求存儲(chǔ)系統(tǒng)必須能夠在車輛事故中保存下來——由于碰撞可能導(dǎo)致汽車的低壓系統(tǒng)斷電,存儲(chǔ)需要一種無需連接電源即可保存數(shù)據(jù)的原生非易失性存儲(chǔ)器。除此之外,記錄數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)必須滿足一些嚴(yán)格的條件。

汽車存儲(chǔ)器的基本要求

1)非易失性:這是基本要求,數(shù)據(jù)得記下來

2)惡劣環(huán)境下的生存性:碰撞以后,存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)得保存下來

3)工作時(shí)間和壽命:汽車的生命周期很長,在車舊了以后存儲(chǔ)器也需要能工作

4)低功耗:如果功耗太高,對(duì)于設(shè)計(jì)保存機(jī)制會(huì)存在困難

5)刷寫快:碰撞的時(shí)間很短,如果電源斷電,數(shù)據(jù)需要快速寫上去

從Flash、EEPROM到F-RAM,汽車存儲(chǔ)器的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)在不斷變化,主要的維度還是更快的刷寫。對(duì)于自動(dòng)輔助駕駛系統(tǒng)而言,把數(shù)據(jù)快速存下來很方便。F-RAM存儲(chǔ)器(結(jié)合了RAM和ROM的優(yōu)勢)比EEPROM擁有更多優(yōu)勢,主要是不需要寫等待時(shí)間,幾乎可以實(shí)時(shí)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)(實(shí)際10us存儲(chǔ)時(shí)間);相比之下,EEPROM通常需要超過10毫秒的寫入等待時(shí)間。

FRAM在寫入速度和功率方面都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于浮柵器件。對(duì)于時(shí)鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM,寫入256位(32字節(jié)頁面緩沖區(qū))需要5毫秒,寫入整個(gè)64Kb需要1283.6毫秒。對(duì)于等效的FRAM,256位僅需14μs,寫入整個(gè)64Kb僅需3.25ms。此外,將64Kb寫入EEPROM需要3900μJ,而將64Kb寫入F-RAM需要17μJ,相差超過229倍。

FeRAM的最大優(yōu)勢是可以保證大量數(shù)據(jù)的讀寫周期。由于它可以重寫高達(dá)100萬億次的數(shù)據(jù),因此我們的FeRAM適用于頻繁重寫數(shù)據(jù)的用途。例如,F(xiàn)eRAM存儲(chǔ)器已被采用為記錄儀表,測量儀器,工業(yè)機(jī)器人和汽車信息的常用存儲(chǔ)器。

汽車的應(yīng)用場景

在整個(gè)使用場景,存儲(chǔ)器的應(yīng)用廣泛覆蓋了各種傳感器帶來的數(shù)據(jù),比如自動(dòng)輔助駕駛、儀表系統(tǒng)(里程和關(guān)鍵信息),電池管理系統(tǒng)、行車記錄儀、娛樂系統(tǒng)和網(wǎng)關(guān)系統(tǒng)。事實(shí)上,如果設(shè)計(jì)考究,在很多地方都可以使用這種存儲(chǔ)器。

汽車儀表

F-RAM記錄時(shí)時(shí)變化的儀表數(shù)據(jù)

·非易失性存儲(chǔ)器

·高可靠性

·FeRAM無需寫等待,快速讀寫

·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA

·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)

車載DVD

FeRAM記錄GPS軌跡,DVD掉電軌跡,數(shù)字收音機(jī)頻道信息

推薦型號(hào):MB85RS64T

·非易失性存儲(chǔ)器

·FeRAM無需寫等待,快速讀寫

·低功耗

安全氣囊

FeRAM在安全汽囊應(yīng)用:

推薦型號(hào)MB85RS64V

·FeRAM無需寫等待,具有非常快的響應(yīng)速度(50ns)

·非易失性存儲(chǔ)器,不需要電池備份,(高可靠性)

·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)

車行駛記錄儀

FeRAM在汽車行駛記錄儀中應(yīng)用:

存儲(chǔ)實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車.

推薦型號(hào):MB85RS64T

·非易失性存儲(chǔ)器

·高可靠性

·FeRAM無需寫等待,快速讀寫

·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA

·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)

F-RAM 擁有無限耐用性與其實(shí)時(shí)性、非易失性、高吞吐量和可靠的數(shù)據(jù)捕獲相結(jié)合,使其成為針對(duì)汽車和工業(yè)應(yīng)用中高性能數(shù)據(jù)記錄的非易失性存儲(chǔ)器的強(qiáng)大選擇。由于F-RAM在各種掉電事故中,都能保證數(shù)據(jù)能存下來,確實(shí)是一種很好的存儲(chǔ)器選擇。

符合AEC-Q100可靠性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

內(nèi)存容量

(bit)

輸入電壓

(V)

工作頻率

(Hz)

工作溫度

(。C)

讀寫耐久性 (讀寫次數(shù))

數(shù)據(jù)保持時(shí)間(保證値)*3

封裝類別

MB85RS4MTY

4M

1.8 to3.6

50M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

DFN-8(SOP-8*4)

MB85RS4MLY

4M

1.7 to1.95

50M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

DFN-8(SOP-8*4)

MB85RS2MTY

2M

1.8 to3.6

50M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

DFN-8, SOP-8

MB85RS2MLY

2M

1.7 to1.95

50M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

DFN-8, SOP-8

MB85RS256TY

256K

1.8 to3.6

40M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

SOP-8

MB85RS128TY

128K

1.8 to3.6

40M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

SOP-8

MB85RS64VY

64K

2.7 to5.5

33M

-40 to+125

10萬億次

10年(+85。C)

SOP-8

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