近五年來，英特爾在高級芯片制造領域落后于臺積電和三星。如今，為重新贏得領先地位，英特爾正大膽而冒險地引入兩項全新技術，即新型晶體管技術和首創的電源交付系統，這兩項技術將被應用在計劃于2024年底發布的桌面和筆記本電腦的Arrow Lake處理器中。

"在過去的二十年中，英特爾在晶體管架構改革方面一直處于領先地位。"英特爾技術發展副總裁兼先進晶體管發展主任Chris Auth說。然而，英特爾的芯片生產歷程并非一直順利：2018年，英特爾未能按時交付其首款10納米CPU，芯片的生產被推遲了一年，導致其14納米技術CPU短缺。2020年，7納米工藝節點（被英特爾重新命名為英特爾4）再次延誤。公司自此一直在努力趕上進度。

英特爾的RibbonFET納米片晶體管將取代當前的FinFET技術。FinFET晶體管通過將晶體管的門圍繞在其通道區域的三個側面而不僅僅是一個側面，為CPU提供了低功耗和更大的邏輯電路密度。然而，隨著FinFETs的規模縮小，這些設備已經接近了他們能夠控制電流的門的極限。納米片晶體管，如三星的多橋通道FET，由于其門完全包圍通道區域，因此提供了更好的控制。英特爾預計，當RibbonFET在即將到來的英特爾20A處理節點（即公司最新的半導體制程技術）中引入時，能夠提高高達15％的能源效率。

為抑制電源干擾并提升處理器性能，英特爾還推出了一種被稱為PowerVia的全新電源輸送系統。英特爾電源交付系統是面向未來的創新，這是制造商首次利用芯片背面電源傳輸，將電源與處理器徹底獨立隔離，為電源線和信號線采用了有別于以往的優化方式。

另一方面，英特爾決定同時引導這兩項技術，這一決定甚至在5年前，即英特爾在競爭中失掉領先地位的時候就已經確定。這兩種技術視作是英特爾2025年力爭在處理技術領域重新奪回領先地位的關鍵。然而，雙線并行的技術實現方式存在風險，"這是一種嘗試在同一時間實現兩項重大技術變革的冒險行動," TechInsights的副主席Dan Hutcheson評論說。