氮化鎵具有優異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。

隨著GaN功率器件的性能提升，GaN與SiC共存領域的形勢將會發生重大變化。當前，以GaN和SiC為代表的國際第三代半導體產業，受政策、資本、技術、市場的“四輪驅動”，已經實現了從研發到規模性量產的成功跨越，進入了產業化快速發展階段。

世界各國以前所未有的力度扶持半導體產業，爭相搶跑第三代半導體。國際龍頭企業大力完善產業布局，強化競爭優勢；企業上下游深化戰略合作，擴大自身優勢，搶占市場份額。在各方支持下，國內SiC和GaN技術和產品也相繼獲得突破。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間在“氮化鎵功率電子器件”分會上，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇帶來了“Si基GaN器件及系統研究與產業前景”的主題報告，分享了Si基GaN器件先進工藝研究進展、Si基GaN功率器件及其電源系統、Si基GaN射頻器件及其PA模塊、Ga2O3器件及GaN氣體傳感器。

GaN功率器件朝高功率密度、高頻、高集成化方向發展，擊穿電壓集中在<200V 和650V。目前GaN功率元件市場的發展主要由消費電子所驅動，核心在于快速充電器， 其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。許多廠商已將目光轉向工業市場，如電動汽車、數據中心電源、風力發電等。

商業GaN射頻器件目前主要集中在低頻、高功率，為進一步拓展應用市場，未來將朝更高功率、更工作頻率方向發展。國防、5G、電信基礎設施是推動GaN RF發展的動力源泉。2022年GaN RF器件市場價值13億美元，預計到2028年將達到27億美元，2020年至2028年復合增長率為12%。

Si基GaN器件先進工藝方面，研究涉及極化和二維電子氣、導通機制及器件結構，超低接觸電阻的源、漏極n型歐姆接觸，InAlN上的源、漏極歐姆接觸，超低接觸電阻的源、漏極p型歐姆接觸、低損傷GaN數字刻蝕技術、SiNx柵介質層、柵介質層和表面處理等。其中，研究提出了利用兼容CMOS工藝的TiAl合金層，氮化鎵基HTMT源漏歐姆接觸電阻實現0.063Ω·mm（非金工藝），刷新了世界紀錄，被遴選為IEEE EDL封面文章。

研究提出兼容COMS工藝的低成本Si/Ti5Al1/TiN歐姆接觸結構。實現了0.11 Ω·mm的超低歐姆接觸電阻值。利用透射電鏡（TEM）等技術手段深入分析了其形成優異歐姆接觸的微觀機理，提出了該歐姆接觸結構的形成機理。

研究首次提出Mg/Pt/Au結構的p型歐姆接觸工藝，并系統分析了其載流子輸運機制。在雙溝道氮化鎵外延襯底上實現了目前報道的最低p型歐姆接觸電阻值12Ω?mm 。打破了GaN p-FETs及CMOS上p型歐姆接觸制備困難的壁壘，連續兩月被列為排名前三的popular paper。

首次系統性研究InAlN材料體系原子層刻蝕技術，結合了不同時間O2plasma 和不同功率BCl3plasma，可以精確控制InAlN/GaN異質結的刻蝕深度，大幅度優化了刻蝕后的表面粗糙度。

Si基GaN功率器件及其電源系統方面，研究涉及Cascode路線，p-GaN路線，p-GaN柵的石墨烯應用，U-GaN外延應用于p-GaN柵極，p-GaN柵極擊穿機理探究，p-GaN柵HEMTs的關態擊穿特性優化，再生長凹柵路線，基于GaN HEMTs的電源適配器等。

研究通過優化歐姆接觸工藝、場板工藝和Cascode封裝工藝，實現了器件導通電阻的降低和擊穿電壓的大幅提高，為高效率的電源模組實現提供了技術支撐，示范性應用在國家電網的智能終端。

Si基GaN射頻器件及其PA模塊方面，研究涉及免刻蝕常關型器件制備-應力工程，多指梳狀柵抑制短溝道效應，應力工程的可靠性驗證，GaN射頻功率放大器設計等。

研究提出了一種寬帶拓展的兩級Doherty PA新結構，通過降低載波PA的匹配網絡阻抗轉換比換取帶寬拓展，將Π型和T型網絡的結合，突破了傳統Doherty PA窄帶的限制，在5.15-5.85GHz頻段實現20dB增益和6dB回退效果的高線性度PA的效果。

GaN氣體傳感器及Ga2O3器件方面，研究涉及MIS-SBD、MOSFET仿真、常關型MOSFET等。研究顯示，采用Pt柵極可實現對H2S, H2等氣體實現低功耗、高靈敏度的快速檢測；采用TiO2柵極實現超低濃度10-ppb級別的CO檢測，500-ppb測試下可實現4s的快速響應；采用無柵金屬結構，利用GaN本身的材料特性可實現柴油煙塵顆粒檢測，其中器件測試后可通過600℃熱氧化處理再生，且傳感性能無變化，證明GaN傳感器具有高溫熱穩定性和惡劣環境下的工作能力。

審核編輯：劉清