中國臺灣地區國家科學委員會于12月5日公布了22項核心關鍵技術清單，覆蓋國防、農業、半導體、太空和資通安全等五大領域。其中，最引人關注的是將14nm以下晶圓制造工藝以及涉及的關鍵耗材、異質整合/硅光子整合封裝等半導體技術列為受管控的項目。

中國臺灣地區宣布，未來受當地行政部門資助到達一定基準的關鍵技術涉密人員，前往中國大陸需申請許可；而“一定基準”指的是資助經費超過50%的核心關鍵技術研發。此舉適用于申請的產業界、學術機構等研究人員，未來如需赴中國大陸，須提前報備并經審查獲得許可。

就目前情況而言，聯電在大陸的業務以22nm和28nm制程為主，而臺積電南京廠的主力制程則為16/28nm，其中以28nm為主要制程。

據中國臺灣地區去年頒布的“安全法”規定，盜取核心關鍵技術的犯罪者最高可判處12年有期徒刑，罰金可以按犯罪所得的利益進行加倍處罰。

全球各國目前普遍將半導體視為重要的戰略物資和產業。鑒此，臺灣必須明確其自身的核心關鍵技術，并實施相應的刑事處罰和罰金，以避免技術外流的風險。此次臺灣發布新規也旨在防止中國大陸企業對臺灣半導體人才的挖角行為，尤其是考慮到中國大陸目前受到美國芯片禁令的制約，因此中國臺灣地區也需走自主可控的發展道路。

審核編輯：黃飛