看到這個題目，可能不少朋友都會滿臉問號，我們知道cell內部會有leakage，難道cell與cell之間也會有leakage嗎？對，沒錯，今天就想稍微講解一下這個問題，以便于我們后端理解cell中一些奇怪的工藝。

首先，所謂漏電流，就是指管子不導通的時候流過的電流，即pn結在反向截止狀態時，也會有一個很微弱的電流流過，我們就稱之為leakage。

對于MOS管來說，它的source、substrate、drain中總會存在一個這樣的leakage。那么相鄰cell的leakage是如何產生的呢？這就要從layout的工藝開始講起了。

不知道大家了不了解這些源漏摻雜是如何產生的，其實，工藝的順序是：首先鋪一層襯底，就以NMOS為例好了，先鋪一層P襯底，而后通過一些刻蝕沉積之類的方法，標定源漏的位置，然后在這些位置注入n離子，或者說注入電子，形成n well，對于p well就是注入p離子。

這里我就說的不太嚴謹了，應該就是注入某種材料，總之得到我們的n區p區。我們把這個能注入離子的區域稱為有源區，或者叫擴散區，有的fab會稱為OD（oxide diffusion）。

如果這個NMOS管旁邊還有個NMOS管，這兩個管子分別屬于不同的cell的話，最傳統的做法是分別來做，它們的OD是各自獨立的，兩個OD之間應該會是其他的材料。

注意，這里對于同一個cell里面可能會有許多MOS管，它們的OD是連在一起的，而cell與cell之間的OD是分開的。

那么cell間的漏電流就很好理解了，就是指分屬不同OD的n區p區之間產生的漏電流。由于兩個cell的OD并不相連，它們之間的leakage非常非常小，幾乎無限接近于0。

然而以上的layout設計會有一個弊端，就是為了分割不同的OD，必須要把cell做的很大，cell的邊界要留有一定的空間才行。

要知道PPA中的A-area是我們追求的目標，如何能把cell做的更小一點呢？后來人們提出了CNOD技術（continuous OD），意思是做cell的時候就不把相鄰cell的有源區分開了，讓他們連在一起好了，沒有了中間空隙的要求，這樣就大大降低了cell的面積。

那么，代價是什么呢？沒錯，就是會增大cell之間的漏電流。人們為了再減弱這部分漏電流，一般會在連在一起的那部分OD里注入一些奇怪的材料。具體我也不知道是啥了。

后來人們還是覺得這部分cell間leakage過大，又提出了PODE技術（poly over OD edge）。這個我就了解不多，說錯見諒。它是指在OD的邊緣上面蓋一層poly finger，可以有效減小漏電流，并且相鄰cell的OD間距也能大幅縮小。

對于FinFET來說想像起來就比較直觀，相鄰cell的兩個fin就被一塊poly阻隔了（FinFET鰭式場效應管，之后可能會專門寫文章來聊）。

后來人們為了進一步壓縮面積，又又又來了CPODE，即common PODE，意思是相鄰的cell就不需要每個人出一個poly了，兩個人公用一塊poly就可以了，漏電流也不會變大，而面積就省下來了一部分。在芯片界，作為人類最高技術的代表，即使只是為了那么一點點的改善，也要付出巨大的努力。

說了這么多，其實作為后端工程師，實際工作中也不會用到。只是明白有的cell會標注CPD（CPODE）、CNOD這樣的字眼，就代表了這些cell用到了相應的技術。