1 簡介

本文主要講述一下DDR從0到1設計的整個設計的全過程，有需要的朋友可先安排收藏。內(nèi)容涵蓋以下部分：

DDR4級聯(lián)

DDR4 Layout注意事項(內(nèi)容太多，可能下一章節(jié)分享)

2 DDR4的級聯(lián)

本節(jié)主要講述DDR的級聯(lián)，主要分為三個實戰(zhàn)案例進行講解，分別是2片16位DDR4級聯(lián)、4片16位DDR4+1片8位DDR4級聯(lián)、兩組5片16位DDR4級聯(lián)。相信通過本章節(jié)的講解，大部分朋友都會對DDR的級聯(lián)有一個深刻的認識。

2.1 2片16位DDR4級聯(lián)

選用的DDR芯片是鎂光的MT40A256M16GE-083E，2片16位DDR4級聯(lián)，每個顆粒的位寬位16bit,級聯(lián)的示意圖見下：

16位DDR4顆粒1電路圖如下：

16位DDR4顆粒1電路圖如下：

總結：

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，地址線完全復用，具體包括地址線A[13:0]、BA[1:0]和BG0，地址線需要39.2Ω，精度1%電阻上拉至VTT，每個上拉電阻附近需要放置一個0.1uF電容，且VTT需要有uF級別大電容。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，控制線完全復用，具體包括寫保護（WE_B）、行選通信號（RAS_B）、列選通信號（CAS_B）、復位信號（RESET_B）、片內(nèi)短接信號（ODT）、片選引腳（CS）、激活信號（ACT_B）、警告信號（ALERT_B）、奇偶檢驗信號（PAR），另外測試信號分別連接499Ω電阻至GND，警告信號（ALERT_B）需要上拉至1.2V。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，時鐘線完全復用，具體包括CK_T、CK_C、CKE，特別地，時鐘信號需要連接36R，精度1%的電阻，然后串接0.01uF電容值1.2V；

注意：

這是一種末端短接匹配的一種方式（串始并末：串聯(lián)端接一般放置在信號源端，并連端接一般放置在信號接收端）

直接上拉至主電源即可。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，電源可以復用，具體包括VDD、VDDQ、VPP、REFCA,兩個顆粒的ZQ信號需要分別連接240Ω電阻至GND。此處REFCA使用專用芯片產(chǎn)生：

所有的數(shù)據(jù)線均不復用，具體見下：

注意：HP BANK中LVDS的供電要求為1.8V；HR BANK中LVDS的供電要求為2.5V。

2.2 4片16位DDR4+1片8位DDR4級聯(lián)

選用的DDR芯片是鎂光的MT40A512M16LY-075E，其中4片16位DDR4+1片8位DDR4,總數(shù)據(jù)位寬高達72bit,級聯(lián)的示意圖見下：

16位DDR4顆粒1電路圖如下：

16位DDR4顆粒2電路圖如下：

16位DDR4顆粒3電路圖如下：

16位DDR4顆粒4電路圖如下：

8位DDR4顆粒5電路圖如下：

總結：

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，地址線完全復用，具體包括地址線A[13:0]、BA[1:0]和BG0，地址線需要39.2Ω，精度1%電阻上拉至VTT，每個上拉電阻附近需要放置一個0.1uF電容，且VTT需要有uF級別大電容。

* 兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，控制線完全復用，具體包括寫保護（WE_B）、行選通信號（RAS_B）、列選通信號（CAS_B）、復位信號（RESET_B）、片內(nèi)短接信號（ODT）、片選引腳（CS）、激活信號（ACT_B）、警告信號（ALERT_B）、奇偶檢驗信號（PAR），另外測試信號分別連接499Ω電阻至GND，警告信號（ALERT_B）需要上拉至1.2V。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，時鐘線完全復用，具體包括CK_T、CK_C、CKE，特別地，時鐘信號需要連接36R，精度1%的電阻，然后串接0.01uF電容值1.2V；

注意：

這是一種末端短接匹配的一種方式（串始并末：串聯(lián)端接一般放置在信號源端，并連端接一般放置在信號接收端）

直接上拉至主電源即可。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，電源可以復用，具體包括VDD、VDDQ、VPP、REFCA,兩個顆粒的ZQ信號需要分別連接240Ω電阻至GND。此處REFCA使用電阻分壓方式產(chǎn)生，這種放置最明顯的優(yōu)勢是在布局時比較靈活：

• 所有的數(shù)據(jù)線均不復用，具體見下：

注意：

HP BANK中LVDS的供電要求為1.8V；HR BANK中LVDS的供電要求為2.5V。

最后一個顆粒的高8位數(shù)據(jù)線未使用，需要特別注意。

2.3 兩組5片16位DDR4級聯(lián)

這種級聯(lián)方式與前面的有所不同，前面的級聯(lián)方式不管多少顆粒都是同一組DDR，但是這種級聯(lián)方式采用的是兩組DDR設計，這種設計的方式看似比較復雜，其實兩組DDR可以分開來進行分析，兩組DDR完全獨立，不存在復用的引腳。我們在進行電路分析時，只需要分析其中一組DDR電路即可。

16位顆粒1和顆粒2電路圖見下：

16位顆粒3和顆粒4電路圖見下：

16位DDR顆粒5電路圖見下：

總結：

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，地址線完全復用，具體包括地址線A[13:0]、BA[1:0]和BG0，地址線需要39.2Ω，精度1%電阻上拉至VTT，每個上拉電阻附近需要放置一個0.1uF電容，且VTT需要有uF級別大電容。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，控制線完全復用，具體包括寫保護（WE_B）、行選通信號（RAS_B）、列選通信號（CAS_B）、復位信號（RESET_B）、片內(nèi)短接信號（ODT）、片選引腳（CS）、激活信號（ACT_B）、警告信號（ALERT_B）、奇偶檢驗信號（PAR），另外測試信號分別連接499Ω電阻至GND，警告信號（ALERT_B）需要上拉至1.2V。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，時鐘線完全復用，具體包括CK_T、CK_C、CKE，特別地，時鐘信號需要連接36R，精度1%的電阻，然后串接0.01uF電容值1.2V；

注意：

這是一種末端短接匹配的一種方式（串始并末：串聯(lián)端接一般放置在信號源端，并連端接一般放置在信號接收端）

直接上拉至主電源即可。

兩個16位DDR4顆粒級聯(lián)時，電源可以復用，具體包括VDD、VDDQ、VPP、REFCA,兩個顆粒的ZQ信號需要分別連接240Ω電阻至GND。此處REFCA使用電阻分壓方式產(chǎn)生，這種放置最明顯的優(yōu)勢是在布局時比較靈活：

所有的數(shù)據(jù)線均不復用。

注意：

HP BANK中LVDS的供電要求為1.8V；HR BANK中LVDS的供電要求為2.5V。