上一章我們講到了載流子濃度與電流的關系，并且知道了載流子在I區的濃度分布是非對稱的。

在得知和和電流的關系表達式后，根據微觀電流漂移電流和電流關系：

令， ,即可求得I區域的電場表達式，

其中，同樣近似認為將電子濃度表達式代入上式，并對電場進行積分，即可得到I區域的電壓（過程較為繁瑣，讀者若感興趣可以自行推導）。從的表達式容易看出，前后兩項的表達式中均包含電流，因此積分約掉后與電流無關。即PIN結構中I區的壓降與電流大小無關。

回顧在第二章電荷分布中，我們分析了PN結內部勢壘，可知陽極和陰極的電勢差為，

令,下圖是大注入載流子壽命分別為和，PIN區域導通壓降隨厚度的變化趨勢。

可以看出來，導通壓降隨厚度的變化并非單調變化，而存在最優厚度，這對雙極性器件的設計很有指導意義。綜合上述推導，可以得到一個PIN結構的IV表達式如下（過程略去）其中為雙極擴散長度，

其中，。下圖是情況下，函數隨的變化趨勢。

可以看出函數的最大值出現在附近。說明當I區域的厚度大約為2倍時，具有最小值。

文末總結

1、I區域的電場表達式：，PIN結構中I區的壓降與電流大小無關；

2、導通壓降隨厚度的變化并非單調變化，存在最優厚度，對雙極性器件的設計具有指導意義。